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GaAs MESFET의 전기적 특성
Electrical Characterisyics of GaAs MESFET's 원문보기

대한전기학회 2004년도 학술대회 논문집 전문대학교육위원, 2004 July 01, 2004년, pp.52 - 54  

원창섭 (동서울대학) ,  홍재일 (동서울대학)

초록
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본 논문에서는 속도 포화이후 채널에 발생한느 과잉 캐리어에 의한 채널전하으 발생과 그 영향에 대하여 설명하고 있다. 일반적으로 게이트의 길이가 짧은 GaAs MESFET에서 속도 포화지점에서 전류의 포화가 발생한다. 본 논문은 속도 포화이후 드레인 전압의 증가에 의하여 유입되는 캐리어와 유출되는 캐리어의 차에 의하여 발생하는 채널의 과잉 캐리어에 발생과 이로인해 채널에 쌓이는 채널의 전기적인 특성을 설명하고 있다.

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 논문은 GaAs MESFET을 해석하기 위하여 초기의 Shokly 모델에 기반을 두고 속도포화가 일어난 후의 채널 내에 전하가 존재한다는 것을 가정하고 GaAs MESFET의 전기적 특성을 해석하려한다. 본 논문에서도 속도 포화가 일어나기 전까지는 경사채널근이로 채널이 공핍층에 의하여 높이가 줄어들 것이라 사료된다.

가설 설정

  • 없다. 그래서 본 논문에서는 포화 구간 내에서의 전자의 농도를 일차원적 증가로 가정할 것이다. 그리고, 그 특성들을 분석하여 근접한 농도를 구하려 한다.
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