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제안 방법
- 얻을 수 있었다. 또한 히트 싱크를 연결한 경우의 열적 분포를 시뮬레이션을 하였으며, 히트 싱크의 크기를 변화시켜 그 결과의 변화를 제시하였다. 본 연구의 결과를 토대로 더욱 다양한 경우의 히트싱크를 적용해서 결과를 얻는다면 반도체 소자의 구조에 따룐 히트싱크의최적화 설계 조건을 얻을 수 있으리라 사료된다.
- 이러한 이유로 최근 반도체소자의 열적 특성을 해석하는 연구가 활발히 진행되고 있다”]-[5]. 본 연구에서는 반도체 전력용 소자로서 널리 쓰이고 있는IGBT에 대하여 실험과 시뮬레이션을 통해 열적 분포틀 제시하였으며, 또한 히트싱크의 크기를 변경했을 시 나타나는 열적 분포를 시뮬레이션하였다.
- 본 연구에서는 시뮬레이션 결과를 검증하기 위해 상용 소자를 사용하여 스위칭 발생하는 열적 분포를 열화상 카메라를 이용하여 측정하여 그 몬도 분포를 비교하였다, 정확한 파라미터를 얻기 위해 소자에 히트 싱크를 연결하지 않고 실험하였으며, 그 결과 정확한 파라미터를 얻을 수 있었으며, 이를 적용하여 히트 싱크를 연결해서 열적분포를 시뮬레이션 하였으며실험 결과와실험결과와 비교하였다. 실험에 사용한 히트 싱크를 그대로 모델링해서 했을경우 실험에 비슷한 결과를 얻을 수 있었기 때문에 우리의 모델이 정확하다는 것을 검증하였으며, 이 모델을 이용해서 최적화된 히트 싱크를 제작하는데 필요한 구조와 파라미터를 제공할 수 있으리라 사료된다.
- 있다. 이러한 점을 해결하기 위해 그림 4에서 보여주듯이 히트싱크의 크기를 실험에 사용한 것보다 1/2배되도록 설계해서 시뮬레이션을 하였다. 크기를 줄여도 게 온도 변화가 나타나지 않음을 알 수 있었다.
대상 데이터
- 표 1. 시뮬레이션에 적용된 물 성적 파라미터건.
- 실험에 사용한 소자는 단일 NPTJGBT소자로서 실험 회로는 전원부, 게이트 드라이브 회로, 소자, 부하 부로서 구성된다. 그림 1은 실험을 통해 쥭정한 IGBT 소자에서의 열적 분포를 보여주고 있다.
이론/모형
- 열적 분포를 모델링하기 위해 ANSYS를 사용하였으며, 구조는 소자의 크기률 그대로 적요하였으며, 시뮬레이터에 적용한 파라미터는 H 1에서 보여주고 있다[6].
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