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Color Filter Process에서 선택적 Photoresist 제거방안에 대한 연구

Study on selective PR removal at Color filter process

한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19, 2006 Nov. 09, 2006년, pp.95 - 96  

이상언 (삼성전자 System LSI 사업부 FAB3팀) ,  박정대 (삼성전자 메모리사업부 생산기술2팀) ,  허동철 (삼성전자 System LSI 사업부 FAB3팀) ,  하상록 (삼성전자 System LSI 사업부 FAB3팀) ,  이선용 (삼성전자 System LSI 사업부 FAB3팀) ,  노용한 (성균관대학교 정보통신공학부 마이크로소자 Lab)

초록
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CMOS Image Sensor(CIS) 소자에서 광감도의 향상과 천연색 형성을 위하여 적용하고 있는 Color-Filter 공정에서 국부적으로 발생하는 strip성 불량과 막질손상을 제거하기 위한 연구를 진행하였다. 우선 지역적 경향성을 보이는 불량에 대해서는 PR strip process type을 액조 진행방식에서 회전식으로 변경했을 때 제거됨을 확인하였고, 막질손상을 최소화하기 위해서는 새로운 유기용매의 적용이 필요하였다. 실험 결과, 케톤기를 가지는 화합물과 Polar Apotic 용매의 혼합화합물을 적용하였을 때 각 막질에 attack을 최소화하면서 원하는 PR만 선택적으로 제거 되며 미세잔류성분에 대한 제거력도 향상됨을 확인하였다.

AI 본문요약
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문제 정의

  • 따라서 본 연구롤 통하여 이러한 불량 현상을 제어할 수 있는 PR strip 기술에 대하여 연구를 진행하였다.
  • 본 연구에서는 color filter process에서 선택적으로 PR을 제거할 수 있는 기술에 대하여 실험을 하였다. 연구결과, 다음의 결론을 도출할 수 있다.
  • 불량현상은 wafer 상에서 지역적인 흐름성 경향을 보이기 때문에 먼저 mechanical 관점에서 불량을 제거할 수 있는 방안에 대해 연구해 보았다. 기존의 액조방식에서는 웨이퍼가 수직으로 액조에 m/Om 되기 때문에 宣름성 불량을 유발시킬 수 있다.
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