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In Plane 방식의 P-N Junction 박막열전소자 제작
Design of In Plane P-N Junction Thin-Film Thermoelectric Device 원문보기

한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9, 2008 June 19, 2008년, pp.178 - 178  

권성도 (한국과학기술연구원) ,  김은진 (한국산업기술대학교) ,  이윤주 (한국산업기술대학교) ,  윤석진 (한국과학기술연구원) ,  주병권 (고려대학교) ,  김진상 (한국과학기술연구원)

초록
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초소형 박막의 열전 발전모듈은 작은 부피와 한번 설치시 교체없이 지속적인 전원공급으로 소형의 센서 노드에 전원으로 각광 받고 있다. 이에 본 논문에서는 In Plane방식의 PIN Junction의 박막형 열전소자를 제작하여 보았다. 열전 박막인 P-type의 $BiSbTe_3$와 N-type의 $Bi_2Te_3$은 (001)GaAs 기판에 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapour Deposition)방식으로 성장하였으며 전극으로는 E-Beam Evaporator를 이용하여 금(Au), 알루미늄(Al)을 사용하였다. 열전박막의 두께는 MOCVD의 성장시간과 온도 MO-x 가스의 압력으로 조절하여 주었다. 제작결과 1Pairs 당 약 $63{\mu}V$/K을 나타내었다.

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