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플립칩 본딩 구조의 표면방출레이저 어레이에 대한 열 해석
Thermal analysis of a VCSEL array with flip-chip bond design 원문보기

한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9, 2008 June 19, 2008년, pp.415 - 416  

김선훈 (한국광기술원) ,  김태언 (한국광기술원) ,  김상택 (한국광기술원) ,  기현철 (한국광기술원) ,  양명학 (한국광기술원) ,  김효진 (한국광기술원) ,  고항주 (한국광기술원) ,  김회종 (한국광기술원)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

The finite element model was used to simulate the temperature distribution of a arrayed vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL). In this work, the dimension of AlGaAs/GaAs based VCSEL array was $50{\mu}m$ active diameter and $250{\mu}m$ pitch, and AuSn solder of 80wt%Au-...

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 연구에서는 병렬 광 접속에 응용될 표면 방출 레이저 어레이 구조를 제시하고, 이에 대한 유한 요소 모델(FEM)을 작성하여 열 전달 특성을 전산모사 하였다 [4, 5],
  • 본 연구에서는 병렬 광 접속을 위한 GaAs 표면방출레이저 어레이 구조의 유한요소모델(FEM)을 작성하고 열 전달 특성을 전산모사 하였匚h 이러한 결과를 바탕으로 가상 모델을 발전시키고, 실제의 병렬 광 접속 모듈에서의 열 누화 현상에 응용하고자 한다.

가설 설정

  • 먼저 열원은 그림 2어서 좌측에서 첫 번째 단일 표면방출레이저 칩의 활성층을 대상으로 온도는 60C로 하였다. 경계조건으로 표면방출레이저의 표면이 255¥血欠의 대류 계수를 갖는 것으로 하였고, AuSn 솔더를 통해 충뿐히 열이 전달되는 것으로 가정하여 10kW/i수K의 대류 계수를 갖는 것으로 가정하였으며, 이 패 분위기 온도는 2513 이였다. 그림 4는 상기의 조건으로 한 열 전달 전산모사 결과이다.
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