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후열처리에 따른 Indium Zinc Oxide(IZO) 박막의 특성변화

Effect of annealing on the properties of zinc doped indium oxide(IZO) films

한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21, 2008 Nov. 06, 2008년, pp.260 - 261  

김대현 (경원대학교) ,  김상모 (경원대학교) ,  최형욱 (경원대학교) ,  김경환 (경원대학교)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this study, we investigated the properties of Indium Zinc Oxide (IZO) films prepared in facing targets sputtering (FTS) system at room temperature as function of oxygen contents. As as-deposited films were rapidly thermal annealing on air atmosphere of $400^{\circ}C$ for 30s. As a resu...

AI 본문요약
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문제 정의

  • 있다[3, 4]. 본 연구에서는 이러한 IZO 박막의 고온 열처리에 의햔 전기적 안정성과 구조 변화에 대해서 알아보았다.
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