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제안 방법
- MEMS 구조물에 가장 널리 쓰이고 있는 다결정 실리콘 (P&y-Si)과 산화악(Si6) blanket 웨이田호 재료 제거윯旬 연마 선택비에 대한 실험을 실시하였다、실험은 G&P Te 如。logy 사의 4~8인치 전용 CMP 장비인 G&P POLI5001 사용하였다 각 뭃질의 과다연마를 밤 지하고 연마 종접 및 연麝 髪성을 확인하기 위해 piezoelectric quartz 巽繭이'를 23림 1와 같이 장비의 헤뜨무에 설치하여 센서의 변위兽 전압값으로 춯력하고 이루 증폭변환시% 실■시간으로 마찰 신호값을 얻을 수 있도톡 장치登 구성하였다. 마찰 신箜 측정 프로22弩믄 G&P Tedm아。gy 사의 CMP 모U터링 프受11営餐 折용하였다,
- 如。logy 사의 4~8인치 전용 CMP 장비인 G&P POLI5001 사용하였다 각 뭃질의 과다연마를 밤 지하고 연마 종접 및 연麝 髪성을 확인하기 위해 piezoelectric quartz 巽繭이'를 23림 1와 같이 장비의 헤뜨무에 설치하여 센서의 변위兽 전압값으로 춯력하고 이루 증폭변환시% 실■시간으로 마찰 신호값을 얻을 수 있도톡 장치登 구성하였다. 마찰 신箜 측정 프로22弩믄 G&P Tedm아。gy 사의 CMP 모U터링 프受11営餐 折용하였다,
- pH조절을 통해 고저 선택비로 선정된 두 가지 슬러리로써 패턴 폭에 따른 실험을 하였다. 실험에 사용된 패턴 웨이퍼는 IC 디바이스보다 큰 크기에서 사용되는 MEMS 구조물을 감안하여, 5㎛에서 50㎛에 이르는 패턴 형태로 설계하였다.
- 뽄 논呈에서는 刃존의 반도刼용 연마 슬러리置 사용하여, MEMS 구조뭃 형성에 널리 쓰이고 있W 다결정실라콘과 샨화막의 연아 선택비(龄lectivity)置 비교하였다. 이연마 선택出豊 바교함으로陶 MEMS 구조案에 조금 더 적합한 CMP 공정 조건을 결정 할 수 았으리라 생각된다’
- 선택비의 차이룰 비교하기 위해 두 가지 술러리를 pH 조절을 하며, 각각 물질의 연마량을 비교하였다. 실험은 충분한 슬러리의 교반 시간을 두어 슬러리를 분산하였고, 각 물질에서 pH에 따른 실험을 진행하였다.
- 패턴 폭에 따른 실험을 하였다. 실험에 사용된 패턴 웨이퍼는 IC 디바이스보다 큰 크기에서 사용되는 MEMS 구조물을 감안하여, 5㎛에서 50㎛에 이르는 패턴 형태로 설계하였다. 실험에서 정확한 연마 종점 검줄(end point detection)을 위해, 모니터링시스템을 사용하여 이종 재료의 출현으로 마찰 신호가 급격하게 변하는 부분을 확인하고 3 시간을 도출하여 웨이퍼의 불필요한 과다 연마 (over-polishing)를 방지하였다.
- 실험에 사용된 패턴 웨이퍼는 IC 디바이스보다 큰 크기에서 사용되는 MEMS 구조물을 감안하여, 5㎛에서 50㎛에 이르는 패턴 형태로 설계하였다. 실험에서 정확한 연마 종점 검줄(end point detection)을 위해, 모니터링시스템을 사용하여 이종 재료의 출현으로 마찰 신호가 급격하게 변하는 부분을 확인하고 3 시간을 도출하여 웨이퍼의 불필요한 과다 연마 (over-polishing)를 방지하였다. 최적화된 두 가지 슬러리를 통한 실험 결과는 그림 3과 같다.
- 하며, 각각 물질의 연마량을 비교하였다. 실험은 충분한 슬러리의 교반 시간을 두어 슬러리를 분산하였고, 각 물질에서 pH에 따른 실험을 진행하였다. 가장 높은 선택비를 가지는 조건은 Nalco2371™ 슬러리詈 pH10으로 산화막 : 풀리실리콘 그 1: 90이였으며, 가장 낮은 선택바置 나타낸 것은 ILD1300™ 슬러리를 pH9으로 사용한 조건으로 산화막 : 폴리실리콘 = 1: 2.
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