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고굴절률 레진의 임프린팅 기술을 이용한 발광 다이오드의 광추출효율 향상 연구 원문보기

한국재료학회 2011년도 춘계학술발표대회, 2011 May 25, 2011년, pp.63.2 - 63.2  

변경재 (고려대학교 신소재공학과) ,  조중연 (고려대학교 신소재공학과) ,  조한별 (고려대학교 나노반도체공학과) ,  김진승 (고려대학교 신소재공학과) ,  이헌 (고려대학교 신소재공학과)

초록
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본 연구에서는 질화물 계 발광 다이오드의 광추출효율을 향상시키키 위해서 발광 다이오드의 ITO 투명전극 층 상부에 임프린팅 공정을 이용하여 고굴절률 레진 패턴을 형성하였다. 고굴절률 레진은 단량체 기반의 열경화성 임프린트 레진에 ZnO 나노 파티클을 분산시켜 제작하였고 ZnO 나노 파티클의 함량비를 달리하여 레진의 굴절률을 조절하였다. 고굴절률 레진으로 이루어진 패터닝 층은 열경화 임프린팅 공정으로 제작되었고 300 nm 크기의 dot 또는 hole 격자 패턴 및 moth-eye 형상의 저반사 나노 패턴 등으로 형성되었다. 발광 다이오드에 형성된 패터닝 층의 굴절률, 구조에 따른 광추출효율 향상 정도를 분석하기 위하여 electroluminescence 측정을 하였으며 I-V characteristics를 통해서 임프린팅 공정에 의하여 발광 다이오드 소자의 전기적 특성이 저하되지 않았음을 확인하였다.

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