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더블게이트MOSFET의 도핑농도에 따른 단채널 효과 분석 - 문턱전압을 중심으로
Analysis of short-shannel effect for doping concentration of DGMOSFET - On threshold Voltage 원문보기

한국정보통신학회 2012년도 춘계학술대회, 2012 May 26, 2012년, pp.731 - 733  

고효근 (군산대학교 전자공학과) ,  한지형 (군산대학교 전자공학과) ,  정학기 (군산대학교 전자공학과)

초록
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더블게이트MOSFET는 두 개의 게이트를 가지고 있기 때문에 전류제어 능력이 기존 MOSFET보다 두배에 가깝고 나노소자에서 단채널 효과를 감소시킬 수 있다는 장점을 가지고 있다. 본 연구에서는 더블게이트MOSFET 제작시 단채널 효과에 큰 영향을 미치는 도핑농도에 따른 문턱전압의 변화를 분석하고자 한다. 더블게이트MOSFET에서 문턱전압에 영향을 미치는 구조적 요소 중 도핑농도는 매우 중요한 소자파라미터이다. 본 논문에서는 도핑농도를 $10^{15}cm^{-3}$에서 $10^{19}cm^{-3}$까지 변화시키면서 문턱 전압을 분석한 결과 도핑농도가 증가하면 문턱전압도 커짐을 알 수 있었다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Because the Double gate MOSFET has two gates, it has more efficient on controling current than the exisiting MOSFET, and it can also decrease short channel effects in the nano-device. In this study, during the manufacturing the Double gate MOSFET, we will analyze the change of threshold voltage acco...

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 논문에서는 채널길이를 20nm에서 100nm 까지 변화시키면서 도핑농도에 따른 문턱전압의 결과를 고찰 함으로써 문턱전압에 미치는 영향을 분석하고자 한다. 2장에서는 더블게이트 MOSFET에 대한 이론적 배경을 설명할 것이며 3장에서는 결과를 고찰하고 4장에서는 결론을 맺을 것이다.
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