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화학증기증착법으로 길러진 그래핀/붕화질소의 표면 원자 구조 및 전자 구조 연구
Characterization of Surface, Crystal and Electronic Structure of CVD Graphene/hBN Film 원문보기

한국표면공학회 2013년도 춘계학술대회 논문집, 2013 May 30, 2013년, pp.43 - 43  

송영재 (성균관대학교 성균나노과학기술원 & 물리학과)

초록
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붕화질소(hexagonal Boron Nitride, h-BN)위의 그래핀은 산화규소(SiO2) 위에 전사된 그래핀에 비해서 월등한 전기적 특성을 갖는다. 따라서 전자소자의 산업적 응용을 위한 대면적화를 위하여, 그래핀을 붕화질소위에 화학증기증착(CVD) 방법을 통해 직성장시키고, 그 전기적 성질이 산화규소 및 suspended된 그래핀에 비해서 훨씬 더 이상적임을 원자 수준의 공간해상도에서 초고진공 저온 주사형 터널링 현미경(scanning tunneling microscope, STM)을 통해 입증하였다.

AI 본문요약
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제안 방법

  • 이때 고품위 그래핀 성장을 위해서는 대략 3 nm이하의 붕화질소 두께를 사용하도록 한다. 이렇게 성장된 그래핀/붕화질소 하이브리드 구조는 우선 성장 상태를 라만분광학을 통해 확인하고, 초고진공 저온 주사형 터널링 현미경을 통해서, 맨 윗층의 그래핀의 원자 구조, 붕화질소 격자와의 간섭무늬 형태 및 그래핀 자체의 이상적인 전자구조를 직접 측정하였다.
  • 화학증기증착 방법을 통해 그래핀을 구리 호일 표면에 성장시킨 붕화질소 필름위에서 직성장을 시켰다. 이때 고품위 그래핀 성장을 위해서는 대략 3 nm이하의 붕화질소 두께를 사용하도록 한다.
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