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반도체 디바이스 제조 공정에서의 전기화학적 현상
Electrochemical phenomenon in Semiconductor Device Manufacturing Process 원문보기

한국표면공학회 2015년도 추계학술대회 논문집, 2015 Nov. 26, 2015년, pp.203 - 203  

황응림 (SK 하이닉스 미래기술연구원)

초록
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반도체 제조 공정 중에 CMP(Chemical Mechanical Planarization)는 디바이스의 집적도(degree of integration)에 크게 영향을 미치고 있으므로, 20nm급 이하의 디바이스에서 CMP 공정 안정화는 양질의 소자 특성을 확보하기 위해서는 시급한 문제가 되고 있다. CMP 공정 안정화를 위해서는 여러 가지 해결되어야 할 문제가 있는데, 그 중에서도 W plug 연마 공정 중에 관찰되고 있는 W missing은 전기 배선의 신뢰성에 직접 영향을 주고 있으므로 공정 엔지니어에게는 도전적인 과제이다. 본 연구에서는 W missing 현상을 전기화학적인 입장에서 해석하고 몇 가지 해결책을 제기하고자 한다.

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 연구에서는 20nm급 메모리 디바이스의 W plug의 CMP 공정 중에 발생하는 galvanic corrosion의 여러 가지 현상을 소개하고 이론적으로 고찰하였다. W plug의 corrosion 현상은 isolated plug에서 특히 심하게 발생하였고 metal line의 경우 core/peri 경계 부근에서 가장 심하게 관찰되었는데, galvanic corrosion에서 small anode/large cathode에 의한 unfavorable area effect에 의한 것으로 해석 가능하였다.
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