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- 기존의 연구들은 대부분 Si MOSFET (Silicon Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor)을 이용한 동기정류기법을 적용하여 왔는데 Si MOSFET이 물성적인 한계에 도달하면서 차세대 전력 반도체인 SiC (Silicon Carbide)나 GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transister)를 동기정류에 적용시키는 연구가 시도되고 있으며, 하나의 예로 GaN HEMT를 무선전력 전송용 전력변환장치 내 동기정류 스위치로 적용한 연구가 수행되었다.[1] 동기정류기법은 그 특성 상 대전류가 흐르는 응용분야에 적용할 경우 효과가 극대화 된다. 따라서 저전압 대전류 출력 특성을 가지는 전기자동차 등의 친환경 차량 내 LDC (Low voltage DC DC Converter)의 2차측 다이오드 대신 동기정류기법을 적용하면 큰 효과를 기대할 수있을 것으로 사료된다.
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