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NTIS 바로가기국가/구분 | European Patent Office(EP) /A1 공개 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | EP-0811466 (2005-11-29) |
공개번호 | EP-1835529 (2007-09-19) |
우선권정보 | JP 2004380704 20041228 |
국제공개번호 | WO06/070553 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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The present invention is a method of manufacturing a semiconductor device from a layered body including: a semiconductor substrate; a high dielectric film formed on the semiconductor substrate; and an SiC-based film formed on a position upper than the high dielectric film, the SiC-based film having
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