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NTIS 바로가기국가/구분 | 일본특허청(JP) 공개특허 공개 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | 2022207785 (2022-12-26) |
공개번호 | 2023030139 (2023-03-07) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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PROBLEM TO BE SOLVED: To solve a problem that yield (acceptance rate) reduces due to generation of areas of low thermal conductivity when a large-sized silicon nitride substrate with high thermal conductivity is manufactured.SOLUTION: A silicon nitride substrate is formed by nitriding a sheet-like m
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