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특허 상세정보

단결정 실리콘을 제조하는 초크랄스키 법

국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판) C30B-015/00   
출원번호 10-1997-0001602 (1997-01-21)
공개번호 10-1997-0059321 (1997-08-12)
DOI http://doi.org/10.8080/1019970001602
발명자 / 주소
  • 바난 모센 / 미국 미조리주 ***** 세인트 루이스 크로스 크릭 코브 *****비
  • 코브 해럴드 더블유. / 미국 미조리주 ***** 발윈 벤월스 코트 *****
  • 김경민 / 미국 미조리주 ***** 세인트 찰스 휘트무어 드라이브 ****
출원인 / 주소
대리인 / 주소
  • 특허법인코리아나 (Koreana Patent Firm)
  • 서울특별시 강남구 역삼동 ***-**
심사청구여부 있음 (2001-12-18)
초록

본 발명은 단결정 실리콘 로드를 챔버내의 도가니에 담겨있는 실리콘 용융물로부터 인상시켜, 단결정을 제조하는 초크랄스키법에 관한 것이다. 챔버내의 실리콘 용융물로부터 단결정 실리콘을 인상시킨 후, 800。K에서 약55×10-5g.cal./(sec.·㎠ (℃.㎝) 이상의 열전도율을 갖는 가스가 챔버내로 흘러, 챔버가 냉각된다. 바람직한 냉각 가스는 헬륨이 함유된 가스다.

대표
청구항

챔버 내의 도가니에 담겨있는 실리콘 용융물로부터, 단결정 실리콘 로드를 인상시키는 단결정을 제조하는 초크랄스키법에 있어서, 상기 단결정 실리콘 로드가 상기 실리콘 용융물로부터 인상된 후에, 800。K에서 약 55×10-5g.cal./(sec.·㎠ (℃.㎝)이상의 열전도율을 갖는 가스를 챔버 내로 유입시킴으로써, 챔버를 냉각시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 초크랄스키법.

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