$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

단결정 실리콘을 제조하는 초크랄스키 법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C30B-015/00
출원번호 10-1997-0001602 (1997-01-21)
공개번호 10-1997-0059321 (1997-08-12)
DOI http://doi.org/10.8080/1019970001602
발명자 / 주소
  • 바난 모센 / 미국 미조리주 ***** 세인트 루이스 크로스 크릭 코브 *****비
  • 코브 해럴드 더블유. / 미국 미조리주 ***** 발윈 벤월스 코트 *****
  • 김경민 / 미국 미조리주 ***** 세인트 찰스 휘트무어 드라이브 ****
출원인 / 주소
  • 엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼즈 인코포레이티드 / 미국 미주리주 ***** 세인트 피터즈 피 오 박스 * 펄 드라이브 ***
대리인 / 주소
  • 특허법인코리아나 (Koreana Patent Firm)
  • 서울특별시 강남구 역삼동 ***-**
심사청구여부 있음 (2001-12-18)
심사진행상태 거절결정(일반)
법적상태 거절

초록

본 발명은 단결정 실리콘 로드를 챔버내의 도가니에 담겨있는 실리콘 용융물로부터 인상시켜, 단결정을 제조하는 초크랄스키법에 관한 것이다. 챔버내의 실리콘 용융물로부터 단결정 실리콘을 인상시킨 후, 800。K에서 약55×10-5g.cal./(sec.·㎠ (℃.㎝) 이상의 열전도율을 갖는 가스가 챔버내로 흘러, 챔버가 냉각된다. 바람직한 냉각 가스는 헬륨이 함유된 가스다.

대표청구항

챔버 내의 도가니에 담겨있는 실리콘 용융물로부터, 단결정 실리콘 로드를 인상시키는 단결정을 제조하는 초크랄스키법에 있어서, 상기 단결정 실리콘 로드가 상기 실리콘 용융물로부터 인상된 후에, 800。K에서 약 55×10-5g.cal./(sec.·㎠ (℃.㎝)이상의 열전도율을 갖는 가스를 챔버 내로 유입시킴으로써, 챔버를 냉각시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 초크랄스키법.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (1)

  1. [미국] Method of growing single crystal silicon by the Czochralski method which eliminates the need for post growth annealing f | Voltmer Frederic W. (Richardson TX) Digges, Jr. Thomas G. (Thousand Oaks CA)
    상세보기

관련 콘텐츠

섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로