초록 ▼

생산성을 저하시키지 않고 초기효율을 높임과 동시에, 높은 안정화효율을 얻을 수 있는 것을 과제로 한다.투명기판 (11) 과, 이 투명기판 (11) 상에 형성된 투명전극 (12) 과, 이 투명전극 (12) 상에 형성된 발전막 (13) 과, 이 발전막 (13) 상에 형성된 이면전극 (14) 을 구비하며, 상기 발전막 (13) 이 p 형/i 형/n 형 또는 n 형/i 형/p 형의 수소화비정질실리콘층을 순차 적층한 것으로 구성되며, 또 i 형의 수소화비정질실리콘층 (13b) 의 결함밀도가 1015개/cc 미만인 것을 특징으로 하는 비정질실

생산성을 저하시키지 않고 초기효율을 높임과 동시에, 높은 안정화효율을 얻을 수 있는 것을 과제로 한다.투명기판 (11) 과, 이 투명기판 (11) 상에 형성된 투명전극 (12) 과, 이 투명전극 (12) 상에 형성된 발전막 (13) 과, 이 발전막 (13) 상에 형성된 이면전극 (14) 을 구비하며, 상기 발전막 (13) 이 p 형/i 형/n 형 또는 n 형/i 형/p 형의 수소화비정질실리콘층을 순차 적층한 것으로 구성되며, 또 i 형의 수소화비정질실리콘층 (13b) 의 결함밀도가 1015개/cc 미만인 것을 특징으로 하는 비정질실리콘 태양전지.

대표청구항

투명기판과, 상기 투명기판 상에 형성된 투명전극과, 상기 투명전극 상에 형성된 발전막과, 상기 발전막상에 형성된 이면전극을 구비하며,상기 발전막이 p 형/i 형/n 형 또는 n 형/i 형/p 형의 수소화비정질실리콘층을 순차 적층한 것으로 구성되며, 또 i 형의 수소화비정질실리콘층의 결함밀도가 1015개/cc 미만인 것을 특징으로 하는 비정질실리콘 태양전지.

투명기판과, 상기 투명기판 상에 형성된 투명전극과, 상기 투명전극 상에 형성된 발전막과, 상기 발전막상에 형성된 이면전극을 구비하며,상기 발전막이 p 형/i 형/n 형 또는 n 형/i 형/p 형의 수소화비정질실리콘층을 순차 적층한 것으로 구성되며, 또 i 형의 수소화비정질실리콘층의 결함밀도가 1015개/cc 미만인 것을 특징으로 하는 비정질실리콘 태양전지.