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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2000-0003293 (2000-01-24) |
공개번호 | 10-2001-0076037 (2001-08-11) |
등록번호 | 10-0320993-0000 (2002-01-04) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020000003293 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2000-01-24) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 열에 약하기 때문에 건식도금 방법으로는 도금이 안되며, 오직 습식도금 방법으로만 도금이 가능했던 ABS수지나 플라스틱상에 Al, Ti, Zr, Cr, Cu, Au, Pd, Ni, Ag 등의 금속화합물 도금층을 형성시키는 방법으로, 특히 진공조(Chamber)에 냉각순환장치를 충분히 설치하고 엣칭(Etching) 및 바이아스(Bias)를 행할 때 전류의 세기 및 시간을 줄임으로서 장식기재의 온도상승을 억제시켜 장식기재의 재질이 ABS수지나 플라스틱일지라도 형상의 변형없이 도금이 잘 이루어지도록 한 것이다.한편, 본 발명에
열에 약한 ABS 수지나 플라스틱 장식기재를 건식도금 하기 위하여, 통상의 건식도금장치인 진공조의 음극전극에 장식기재를 걸어놓고 이에 대응되도록 가열수단을 갖춘 타켓(Target)을 설치하며, 반응 GAS 투입구에 얻고자 하는 도금층에 따라 필요적절한 GAS를 투입하여 장식기재가 열에 의하여 변형되지 않도록 저온에서 행하는 통상의 건식도금(스팟타링 이온방식)에 있어서, 진공조에 냉각순환장치를 충분히 설치하며, 진공조 내측에서 도금이 이루어지고 있는 ABS 수지나 플라스틱상의 장식기재에 행하여지는 엣칭 및 Bias의 파워(Power)
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