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특허 상세정보

제어된 결함 분포를 갖는 실리콘 웨이퍼, 그의 제조공정및 단결정 실리콘 잉곳의 제조를 위한 초크랄스키 풀러

국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판) C30B-029/06   
출원번호 10-2000-0057344 (2000-09-29)
공개번호 10-2001-0078701 (2001-08-21)
등록번호 10-0378184-0000 (2003-03-18)
DOI http://doi.org/10.8080/1020000057344
발명자 / 주소
  • 박재근 / 경기도성남시분당구구미동무지개마을건영아파트****동***호
출원인 / 주소
대리인 / 주소
  • 이래호; 정상빈; 이영필 (LEE, LE-O)
  • 서울 서초구 서초동 ****-* 벽천빌딩 *층 (특허법인필앤온지); 서울특별시 강남구 논현동 *** 영풍빌딩*층(특허법인가산); 서울 서초구 서초동 ****-* (리앤목 특허법인)
심사청구여부 있음 (2000-09-29)
초록

웨이퍼의 표면 근방에 디누드존이 확보되어 있으며 동시에 벌크영역 내에서 충분한 게더링 효과를 갖도록 제어된 결함 분포를 갖는 실리콘 웨이퍼 및 그의 제조공정이 개시된다. 본 발명의 실리콘 웨이퍼는 인트린식 게더링 사이트인 산소석출물이 일정한 수직적 분포, 즉,웨이퍼의 전면으로부터 후면까지의 산소석출물의 농도 프로파일이 웨이퍼의 전면 및 후면으로부터 각기 소정 깊이에서 제1 피크 및 제2 피크를 나타낸다. 웨이퍼의 전면 및 후면의 표면으로부터 각기 제1 피크 및 제2 피크에 도달하기 전에 디누드존이 형성된다. 제1 피크 및 제2 피크 사이의 웨이퍼의 벌크영역 내에서 산소석출물의 농도 프로파일은 컨케이브...

대표
청구항

반도체소자의 액티브영역이 형성되는 실리콘 웨이퍼의 전면으로부터 후면까지의 산소석출물(Oxygen Precipitates)의 농도 프로파일이, 전면 및 후면으로부터 소정 깊이에서 각기 제1 피크 및 제2 피크를 나타내며, 상기 전면 및 후면으로부터 각기 제1 피크 및 제2 피크에 도달하기 전에 디누드존이 형성되며, 상기 제1 피크 및 제2 피크 사이의 벌크영역에서 산소석출물의 농도 프로파일이 컨케이브 (concave)한 것을 특징으로 하는 제어된 산소석출물 분포를 갖는 실리콘 웨이퍼.