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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2003-0043709 (2003-06-30) |
공개번호 | 10-2005-0002333 (2005-01-07) |
등록번호 | 10-0520433-0000 (2005-10-04) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020030043709 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2003-06-30) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 모스 전계 효과 트랜지스터(MOS (METAL-OXIDE-SILICON) FIELD EFFECT TRANSISTOR, 이하 'MOSFET' 라 한다.) 제조 기술에 근거하는 모든 반도체 소자의 제작 공정에 있어서, 마지막 단계에 적용하는 성형가스(FORMING GAS)열처리 공정을 고유전율 절연막을 가진 소자에 적용함에 있어서, 기존의 상압 공정 대비 고압에서 실시함으로써, 상대적으로 저온에서도 반도체소자의 계면전하 및 고정전하의 패시베이션 효과를 극대화시키는 고유전율 절연막 제조공정에 관한 것이다.
반도체 소자를 고압의 가스 분위기에서 열처리하여 절연막의 전기적 특성을 개선하는 것을 특징으로 하는 고유전율 절연막 제조공정.
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