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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2004-0013035 (2004-02-26) |
공개번호 | 10-2005-0087303 (2005-08-31) |
등록번호 | 10-1100295-0000 (2011-12-22) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020040013035 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2008-12-08) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
우수한 초기용량 및 용량유지율을 갖는 비수전해질 2차 전지를 제공할 수 있는 코발트산 리튬의 제조방법을 제공한다.탭밀도가 1.8g/㎤이상이고, 가압밀도가 3.5~4.0g/㎤인 코발트산 리튬. 탭밀도 1.7~3.0g/ml의 코발트산 리튬(A)와, 탭밀도 1.0~2.0g/ml의 코발트산 리튬(B)를, 상기 코발트산 리튬(A)와 상기 코발트산 리튬(B)의 탭밀도차가 0.20g/ml이상이 되도록 혼합하는 상기 코발트산 리튬의 제조방법.
탭밀도 1.7~3.0g/㎤의 코발트산 리튬(A)와 탭밀도 1.0~2.0g/㎤의 코발트산 리튬(B)를, 중량비로 상기 코발트산 리튬(A):상기 코발트산 리튬(B)=95:5~60:40의 비율로, 상기 코발트산 리튬(A)와 상기 코발트산 리튬(B)의 탭밀도차가 0.20g/㎤ 이상이 되도록 혼합하고, 또한 상기 코발트산 리튬(A)는 1차 입자가 단분산되어 있고, 상기 코발트산 리튬(B)는 1차 입자가 응집되어 있는 것을 이용하여, 탭밀도가 1.8g/㎤ 이상이고, 또한 가압밀도가 3.5~4.0g/㎤인 코발트산 리튬을 제조하는 것을 특징으로
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