초록

본 발명은 저전압 또는 저전류량으로 구동되고; 소자의 층 사이에서의 경계면 안정성이 우수하고, 종래 전극의 이용에 비교하여 고 휘도를 가지며, 서로 대향하는 두 개의 전극 사이에 필수적인 층으로서 설치되어 있는 발광층을 포함하는 EL 소자에서, 상기 전극 중의 적어도 하나는 Θ/2Θ방법에 의한 X-선 회절에서 (400)/(222) 의 회절 강도비가 1.0 이상인 결정질 도전막을 포함하는 것을 특징으로 하는 EL 소자에 관한 것이다.

대표청구항 ▼

서로 대향하는 두 개의 전극 사이에 필수적인 층으로서 설치되어 있는 발광층을 포함하는 EL 소자에 있어서,상기 전극 중의 적어도 하나는 θ/2θ 방법에 의한 X-선 회절로 (400)/(222) 의 회절 강도비가 1.0 이상인 결정질 도전막을 포함하는 것을 특징으로 하는 EL 소자.제 1 항에 있어서,상기 결정질 도전막은 원주형 (columnar) 단일 결정의 집합체인 것을 특징으로 하는 EL 소자.제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 결정질 도전막은 결정자의 장축 방향의 크기가 20 내지 100 ㎚ 의 범위인 결정 집합체인 것을

서로 대향하는 두 개의 전극 사이에 필수적인 층으로서 설치되어 있는 발광층을 포함하는 EL 소자에 있어서,상기 전극 중의 적어도 하나는 θ/2θ 방법에 의한 X-선 회절로 (400)/(222) 의 회절 강도비가 1.0 이상인 결정질 도전막을 포함하는 것을 특징으로 하는 EL 소자.제 1 항에 있어서,상기 결정질 도전막은 원주형 (columnar) 단일 결정의 집합체인 것을 특징으로 하는 EL 소자.제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 결정질 도전막은 결정자의 장축 방향의 크기가 20 내지 100 ㎚ 의 범위인 결정 집합체인 것을 특징으로 하는 EL 소자.제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 결정질 도전막의 최대 표면 조도는 5 내지 30 ㎚ 의 범위인 것을 특징으로 하는 EL 소자.제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 결정질 도전막 표면의 평균 표면 조도는 1 내지 10 ㎚ 의 범위인 것을 특징으로 하는 EL 소자.제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 결정질 도전막의 1 평방 ㎛ 영역에 존재하는 5 내지 30 ㎚ 돌기의 수가 100 이상인 것을 특징으로 하는 EL 소자.서로 대향하는 두 개의 전극 사이에 필수적인 층으로서 설치되어 있는 발광층을 포함하는 EL 소자에 있어서,상기 전극 중의 적어도 하나의 표면 1 평방 ㎛ 영역에 존재하는 5 내지 30 ㎚ 돌기의 수가 100 이상인 것을 특징으로 하는 EL 소자.제 7 항에 있어서,상기 전극 중의 적어도 하나의 최대 표면 조도는 5 내지 30 ㎚ 의 범위인 것을 특징으로 하는 EL 소자.제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,상기 전극 중의 적어도 하나의 평균 표면 조도는 1 내지 10 ㎚ 의 범위인 것을 특징으로 하는 EL 소자.제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전극 중의 적어도 하나는 (100) 면 배향성 (surface orientation) 을 가지는 결정의 집합체인 것을 특징으로 하는 EL 소자.제 7 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전극 중의 적어도 하나는 결정자의 장축 방향의 크기가 20 내지 100 ㎚ 의 범위인 결정 집합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 EL 소자.제 7 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전극 중의 적어도 하나는 원주형 단일 결정의 집합체인 것을 특징으로 하는 EL 소자.서로 대향하는 두 개의 전극 사이에 필수적인 층으로서 설치되어 있는 발광층을 포함하는 EL 소자에 있어서,상기 전극 중의 적어도 하나는 인듐 주석 산화물의 박막을 포함하고,주석 원자는 상기 박막에 기판으로부터 막 표면을 향해 균일하게 분포되어 있는 것을 특징으로 하는 EL 소자.제 13 항에 있어서,상기 인듐 주석 산화물 막은 (100) 면 배향성을 가지는 결정 집합체인 것을 특징으로 하는 EL 소자.제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,상기 인듐 주석 산화물의 박막은 원주형 단일 결정의 집합체인 것을 특징으로 하는 EL 소자.제 13 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 인듐 주석 산화물의 박막은 결정자의 장축 방향의 크기가 20 내지 100 ㎚ 의 범위인 결정 집합체인 것을 특징으로 하는 EL 소자.제 13 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 인듐 주석 산화물의 박막의 최대 표면 조도는 5 내지 30 ㎚ 의 범위인 것을 특징으로 하는 EL 소자.제 13 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 인듐 주석 산화물의 박막의 평균 표면 조도는 1 내지 10 ㎚ 의 범위인 것을 특징으로 하는 EL 소자.제 12 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 인듐 주석 산화물 박막 표면의 1 평방 ㎛ 영역에 존재하는 5 내지 30 ㎚ 돌기의 수가 100 이상인 것을 특징으로 하는 EL 소자.서로 대향하는 두 개의 전극 사이에 필수적인 층으로서 설치되어 있는 발광층을 포함하는 EL 소자에 있어서,상기 전극 중의 적어도 하나가 기판 상에 열 스프레이 열 분해 방법 또는 파이러-졸 방법 (pyro-sol process) 에 의해 제조된 도전막인 것을 특징으로 하는 EL 소자.제 20 항에 있어서,상기 도전막은 상기 기판 상의 온도가 400 내지 750℃ 범위에서 형성된 것을 특징으로 하는 EL 소자.제 20 항 또는 제 21 항에 있어서,상기 도전막은 (100) 면 배향성을 가지는 결정의 집합체인 것을 특징으로 하는 EL 소자.제 20 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 도전막은 원주형 단일 결정의 집합체인 것을 특징으로 하는 EL 소자.제 20 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 도전막은 결정자의 장축 방향의 크기가 20 내지 100 ㎚ 의 범위인 결정 집합체인 것을 특징으로 하는 EL 소자.제 20 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 도전막의 최대 표면 조도는 5 내지 30 ㎚ 의 범위인 것을 특징으로 하는 EL 소자.제 20 항 내지 제 25 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 도전막의 평균 표면 조도는 1 내지 10 ㎚ 의 범위인 것을 특징으로 하는 EL 소자.제 20 항 내지 제 26 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 도전막 표면의 1 평방 ㎛ 영역에 존재하는 5 내지 30 ㎚ 돌기의 수가 100 이상인 것을 특징으로 하는 EL 소자.제 1 항 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전극 중의 적어도 하나는 홀 주입 전극인 것을 특징으로 하는 EL 소자.제 1 항 내지 제 28 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 발광층에 유기 화합물이 사용되는 것을 특징으로 하는 EL 소자.