초록 ▼

본 발명은 CVD 법에 의해 마이크로파이프라 불리우는 중공결함을 가지는 SiC 단결정 기판상에 SiC 결정을 성장시키는 경우, 중공결함을 폐색시키는 방법과 함께 그에 의해 얻어지는 단결정에 관하여, C/Si 원자의 비를 결정 성장속도가 탄소원자공급율속으로 되는 범위로 조정한 원료가스를 접촉시키고, SiC 결정의 복수층을 에피택셜 성장시켜 적층하여, SiC 단결정 기판의 중공결함을 작은 버거스 벡터의 전위로 분해하고 결정 표면에 계속되지 않도록 한다. 나아가, SiC 결정을 버퍼층으로 하고, 추가로 C/Si 비를 버퍼층을 형성할 때의

본 발명은 CVD 법에 의해 마이크로파이프라 불리우는 중공결함을 가지는 SiC 단결정 기판상에 SiC 결정을 성장시키는 경우, 중공결함을 폐색시키는 방법과 함께 그에 의해 얻어지는 단결정에 관하여, C/Si 원자의 비를 결정 성장속도가 탄소원자공급율속으로 되는 범위로 조정한 원료가스를 접촉시키고, SiC 결정의 복수층을 에피택셜 성장시켜 적층하여, SiC 단결정 기판의 중공결함을 작은 버거스 벡터의 전위로 분해하고 결정 표면에 계속되지 않도록 한다. 나아가, SiC 결정을 버퍼층으로 하고, 추가로 C/Si 비를 버퍼층을 형성할 때의 C/Si 비 보다도 증가방향으로 조정된 원료 가스를 이용하여 SiC 결정을 추가로 적층하여 소망하는 막질을 부여하는 SiC 결정 제조방법을 제공한다.

대표청구항 ▼

마이크로 파이프라고 불리우는 중공결함을 가지는 SiC 단결정 기판 상에, 탄소원자 함유물질 및 규소원자물질을 캐리어 가스에 함유시킨 원료가스를 공급하고, 1.33×102 ~ 1.33×105 Pa의 압력과, 1400℃ 이상의 온도에서 상기 기판 상에 SiC 결정을 에피택셜 성장시키는 방법으로서, 상기 원료가스 중의 탄소원자와 규소원자의 원자수비(C/Si 비)를, 결정 성장속도가 탄소원자 공급율속(炭素原子 供給律速)으로 되는 범위로 조정하고 SiC 결정의 복수(複數)층을 에피택셜 성장시켜 적층하여, 상기 기판 중에 존재하는 중공결함을

마이크로 파이프라고 불리우는 중공결함을 가지는 SiC 단결정 기판 상에, 탄소원자 함유물질 및 규소원자물질을 캐리어 가스에 함유시킨 원료가스를 공급하고, 1.33×102 ~ 1.33×105 Pa의 압력과, 1400℃ 이상의 온도에서 상기 기판 상에 SiC 결정을 에피택셜 성장시키는 방법으로서, 상기 원료가스 중의 탄소원자와 규소원자의 원자수비(C/Si 비)를, 결정 성장속도가 탄소원자 공급율속(炭素原子 供給律速)으로 되는 범위로 조정하고 SiC 결정의 복수(複數)층을 에피택셜 성장시켜 적층하여, 상기 기판 중에 존재하는 중공결함을 버거스 벡터(Bergers vector)가 작고 중공을 수반하지 않는 복수개의 전위로 분해하고, SiC 결정 표면에 상기 기판에 존재한 중공결함을 계속시키지 않는 것을 특징으로 하는 SiC 결정의 제조 방법.