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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2006-0083320 (2006-08-31) |
등록번호 | 10-0736150-0000 (2007-06-29) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020060083320 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2006-08-31) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 소포자 배양기술을 이용한 고추의 정상 배 생산 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 고추의 소포자 배양에 있어서 전처리 재료로 소포자를 사용하고, 전처리 배지는 0.37M 만니톨과 수크로오스만 제외한 NLN 배지가 포함된 것을 사용하며, 소포자를 NLN 배지에 치상한 후 동일한 조성의 배지를 첨가하며, 액체배양 대신 2중층 배양 방법을 이용하여 정상 배를 생산하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 고추의 정상 배 생산 방법은 반수성인 동시에 단세포 상태인 소포자로부터 다량의 정상 자엽배를 획득할 수 있으므로 반수체 육종뿐만
고추의 소포자를 배양함에 있어서, 고추 꽃봉오리에서 채취한 약을 블랜딩한 후 볼텍싱하여 소포자를 나출시키고, 나출된 소포자에서 체세포조직 파편들을 제거한 후 원심분리하여 소포자만을 수확한 다음, 상기 수확된 소포자를 전처리 배지에 치상하여 32℃에서 3일간 전처리하고, 상기 전처리된 소포자를 NLN 배지에 80,000~100,000 소포자/㎖의 밀도로 치상하고 난 1일 후, NLN 배지를 새로이 첨가하고 27℃의 암상태에서 3~4주 배양하여 배를 획득하는 방법에 의한 고추의 정상 배 생산 방법.
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