초록 ▼

본 발명은 쵸크랄스키(Czochralski; CZ)법을 이용한 반도체 단결정 제조방법으로서, 커스프 자기장을 석영 도가니에 인가한 상태에서 반도체 단결정을 성장시키되, 단결정의 길이별 비저항 감소 기울기가 도판트의 평형편석계수에 근거한비저항 감소 기울기와 동일하게 되는 임계 길이를 기준으로 임계 길이 이전보다 임계 길이 이후에 단결정 회전속도를 크게 유지하는 것을 특징으로 한다.본 발명에 따르면, CZ법을 이용한 반도체 단결정의 성장 시 단결정의 길이에 따라 비저항 편차를 감소시킴과 동시에 무결함 인상속도의 공정 마진과 무결함 인상

본 발명은 쵸크랄스키(Czochralski; CZ)법을 이용한 반도체 단결정 제조방법으로서, 커스프 자기장을 석영 도가니에 인가한 상태에서 반도체 단결정을 성장시키되, 단결정의 길이별 비저항 감소 기울기가 도판트의 평형편석계수에 근거한비저항 감소 기울기와 동일하게 되는 임계 길이를 기준으로 임계 길이 이전보다 임계 길이 이후에 단결정 회전속도를 크게 유지하는 것을 특징으로 한다.본 발명에 따르면, CZ법을 이용한 반도체 단결정의 성장 시 단결정의 길이에 따라 비저항 편차를 감소시킴과 동시에 무결함 인상속도의 공정 마진과 무결함 인상속도를 동시에 증가시켜 반도체 단결정의 결정 품질을 용이하게 제어할 수 있고 단결정의 생산성을 향상시킬 수 있다.

대표청구항

도가니에 수용된 반도체 원료 물질과 도판트 물질의 융액에 종자결정을 담근 후 종자결정을 회전시키면서 상부로 서서히 인상시켜 반도체 단결정을 성장시키는 쵸크랄스키법을 이용한 반도체 단결정 제조 방법에 있어서, 커스프 자기장을 상기 도가니에 인가한 상태에서 반도체 단결정을 성장시키되, 단결정의 길이별 비저항 감소 기울기가 도판트의 평형편석계수에 근거한비저항 감소 기울기와 동일하게 되는 임계 길이를 기준으로 임계 길이 이전보다 임계 길이 이후에 단결정 회전속도를 크게유지하는 것을 특징으로 하는 반도체 단결정 제조 방법.

도가니에 수용된 반도체 원료 물질과 도판트 물질의 융액에 종자결정을 담근 후 종자결정을 회전시키면서 상부로 서서히 인상시켜 반도체 단결정을 성장시키는 쵸크랄스키법을 이용한 반도체 단결정 제조 방법에 있어서, 커스프 자기장을 상기 도가니에 인가한 상태에서 반도체 단결정을 성장시키되, 단결정의 길이별 비저항 감소 기울기가 도판트의 평형편석계수에 근거한비저항 감소 기울기와 동일하게 되는 임계 길이를 기준으로 임계 길이 이전보다 임계 길이 이후에 단결정 회전속도를 크게유지하는 것을 특징으로 하는 반도체 단결정 제조 방법.