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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2009-0035540 (2009-04-23) |
공개번호 | 10-2010-0116888 (2010-11-02) |
등록번호 | 10-1062767-0000 (2011-08-31) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020090035540 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2009-04-23) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 바나듐 레독스-흐름 2차전지용 격막의 제조 방법 및 그 격막에 관한 것으로, 그 목적은 바나듐 레독스-흐름 2차전지용으로서 저가이며, 전기화학적·기계적 안정성 즉, 낮은 막 저항, 내산화성, 내열성이 높은 탄화수소계 고분자를 이용한 격막의 제조 방법 및 그로부터 제조되는 격막을 제공함에 있다. 본 발명의 구성은 엔지니어링 플라스틱 계열인 폴리슬폰과 폴리페닐렌설파이드슬폰이 블록 공중합된 공중합 폴리머를 테트라클로로에탄(TCE, 1,1,2,2- tetrachloroethane)으로 용해시킨 후, 이온교환기 도입용제를 첨가하고
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