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특허 상세정보
실리콘적층 사파이어 박막의 제조방법
| 국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
|---|---|
| 국제특허분류(IPC9판) | H01L-027/12 H01L-021/20 |
| 출원번호 | 10-2010-0039266 (2010-04-28) |
| 공개번호 | 10-2011-0119870 (2011-11-03) |
| 등록번호 | 10-1129513-0000 (2012-03-16) |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020100039266 |
| 발명자 / 주소 |
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| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
|
| 심사청구여부 | 있음 (2010-04-28) |
| 심사진행상태 | 등록결정(일반) |
| 법적상태 | 소멸 |
초록
본 발명에 따른 실리콘적층 사파이어 박막의 제조방법은, 사파이어 기판 상에 제1실리콘층을 형성하는 제1단계와 상기 제1실리콘층의 상부에 제2실리콘층을 형성하는 제2단계를 포함하되, 상기 제1단계는 사파이어 기판 상에 상기 제1실리콘층을 적층하는 제1공정과, 상기 제1실리콘층과 사파이어 기판 사이의 계면결함 및 제1실리콘층의 결정결함을 감소시키기 위하여 제1실리콘층에 양이온을 주입하는 제2공정을 포함하고, 상기 양이온은 제1실리콘층을 형성하는 실리콘보다 원자량이 작은 원소의 양이온으로 선택된 것을 특징으로 한다.본 발명에 따른 실리콘적층 사파이어 기판의 제조방법은 실리콘층의 두께가 상대적으로 얇은 성장 ...
대표
청구항
사파이어 기판 상에 제1실리콘층을 형성하는 제1단계;상기 제1실리콘층과 사파이어 기판 사이의 계면결함 및 제1실리콘층의 결정결함을 감소시키기 위하여 상기 제1실리콘층에 양이온을 주입하여 비정질화하는 제2단계; 및상기 비정질화된 제1실리콘층의 상부에 제2실리콘층을 형성하는 제3단계를 포함하되,상기 비정질화된 제1실리콘층은 상기 제3단계의 수행에 의해 재결정화되며,상기 양이온은 제1실리콘층을 형성하는 실리콘보다 원자량이 작은 원소의 양이온으로 선택된 것을 특징으로 하는 실리콘적층 사파이어 박막의 제조방법.
