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연합인증

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이중 반사 방지막을 갖는 태양 전지 및 그 제조 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC9판)
  • H01L-031/042
출원번호 10-2010-0089360 (2010-09-13)
공개번호 10-2012-0027652 (2012-03-22)
등록번호 10-1151413-0000 (2012-05-23)
DOI http://doi.org/10.8080/1020100089360
발명자 / 주소
  • 이수홍 / 경기도 성남시 분당구 정자일로 ***, ***동 ****호 (정자동, 파크뷰)
  • 김민정 / 인천광역시 서구 장고개로***번길 **, ***동 ***호 (가좌동, 진주아파트)
  • 이재두 / 충청북도 충주시 봉현로 ***, *동 ***호 (교현동, 동아아파트)
출원인 / 주소
  • 세종대학교산학협력단 / 서울특별시 광진구 능동로 *** (군자동, 세종대학교)
대리인 / 주소
  • 특허법인엠에이피에스
심사청구여부 있음 (2010-09-13)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록

이중 반사 방지막을 포함하는 태양 전지 및 그 제조 방법이 제공된다. 이중 반사 방지막을 포함하는 태양 전지 형성 방법은, 실리콘 기판 상에 에미터(emitter) 층을 형성하는 단계, 상기 형성된 에미터 층 상에 니켈(Ni)/구리(Cu)/은(Ag)을 포함하는 전면 전극을 형성하는 단계, 상기 에미터 층 상의 상기 전면 전극이 형성되지 않은 부분에 황화아연(ZnS) 층 및 불화마그네슘(MgF2) 층을 갖는 반사 방지막을 증착하는 단계, 및 상기 전면 전극 및 상기 이중의 반사 방지막을 함께 열처리하는 단계를 포함한다.

대표청구항 ▼

이중 반사 방지막을 포함하는 태양 전지 형성 방법에 있어서,실리콘 기판 상에 에미터(emitter) 층을 형성하는 단계,상기 형성된 에미터 층 상에 전면 전극을 형성하는 단계,상기 에미터 층 상의 상기 전면 전극이 형성되지 않은 부분에 이중의 반사 방지막을 증착하는 단계, 및상기 전면 전극 및 상기 이중의 반사 방지막을 함께 열처리하는 단계를 포함하되, 상기 전면 전극은 니켈 도금막, 구리 도금막, 및 은 도금막을 포함하고,상기 이중의 반사 반지막은 불화마그네슘(MgF2) 층 및 황화아연(ZnS) 층을 포함하는 반사 방지막, 불화마

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