초록 ▼

본 발명은 철, 알루미늄, 아연, 지르코늄, 티탄, 주석 및 납으로 구성되는 그룹으로 부터 선택되는 적어도 1종인 다가금속원소 M의 평균함유율이 M/Si몰비로 0.001 내지 0.02인 5㎚ 내지 40㎚의 평균 1차 입자직경을 가지는 실리카콜로이드입자로, 상기 콜로이드입자의 최표층에 존재하는 다가금속원소 M의 함유량이 상기 콜로이드입자의 표면적 1nm2당 0 내지 0.003개인 실리카콜로이드입자 및 이의 유기용매분산실리카졸, 중합성화합물분산실리카졸 및 디카르본산무수물분산실리카졸에 관한다. 본 발명의 실리카콜로이드입자에 의하면, 유기

본 발명은 철, 알루미늄, 아연, 지르코늄, 티탄, 주석 및 납으로 구성되는 그룹으로 부터 선택되는 적어도 1종인 다가금속원소 M의 평균함유율이 M/Si몰비로 0.001 내지 0.02인 5㎚ 내지 40㎚의 평균 1차 입자직경을 가지는 실리카콜로이드입자로, 상기 콜로이드입자의 최표층에 존재하는 다가금속원소 M의 함유량이 상기 콜로이드입자의 표면적 1nm2당 0 내지 0.003개인 실리카콜로이드입자 및 이의 유기용매분산실리카졸, 중합성화합물분산실리카졸 및 디카르본산무수물분산실리카졸에 관한다. 본 발명의 실리카콜로이드입자에 의하면, 유기화합물에 분산했을 때, 이의 표면의 고체산의 작용에 의해 유기화합물의 분산, 착색 등이 일어나지 않는다. 또한, 본 발명의 실리카졸에 의하면 수지에 배합해도 수지의 분해, 착색 등이 일어나지 않으며 또한 분산매로의 분산안정성이 양호하다.

대표청구항

알루미늄인 다가금속원소 M의 평균함유율이 M/Si몰비로 0.001 내지 0.02인 5㎚ 내지 40㎚의 평균 1차 입자직경을 가지는 실리카콜로이드입자로, 상기 콜로이드입자의 최표층에 존재하는 상기 다가금속원소 M의 함유량이 상기 콜로이드입자의 표면적 1nm2당 0.0002 내지 0.003개인 실리카콜로이드입자.

알루미늄인 다가금속원소 M의 평균함유율이 M/Si몰비로 0.001 내지 0.02인 5㎚ 내지 40㎚의 평균 1차 입자직경을 가지는 실리카콜로이드입자로, 상기 콜로이드입자의 최표층에 존재하는 상기 다가금속원소 M의 함유량이 상기 콜로이드입자의 표면적 1nm2당 0.0002 내지 0.003개인 실리카콜로이드입자.