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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2011-0030414 (2011-04-01) |
등록번호 | 10-1081864-0000 (2011-11-03) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020110030414 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2011-04-01) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 등록 |
실리콘 용탕의 표면에 분사 가스를 분사하여 SiOx 나노 분말을 대량으로 생산할 수 있는 휘발성이 우수한 고순도 SiOx 나노 분말 제조 방법 및 그 제조 장치에 대하여 개시한다.본 발명에 따른 SiOx 나노 분말 제조 장치는 진공 챔버; 상기 진공 챔버의 내부에 장착되며, 실리콘이 장입되는 흑연 도가니; 상기 흑연 도가니에 장입된 실리콘을 유도 가열하여 실리콘 용탕을 형성시키는 유도 용융부; 상기 흑연 도가니의 내부에서 상기 실리콘 용탕의 표면과 직접 접촉되도록 분사 가스를 분사하는 가스 분사부; 및 상기 흑연 도가니와 이격된 상
진공 챔버; 상기 진공 챔버의 내부에 장착되며, 실리콘이 장입되는 흑연 도가니; 상기 흑연 도가니에 장입된 실리콘을 유도 가열하여 실리콘 용탕을 형성시키는 유도 용융부; 상기 흑연 도가니의 내부에서 상기 실리콘 용탕의 표면과 직접 접촉되도록 분사 가스를 분사하는 가스 분사부; 및 상기 흑연 도가니와 이격된 상부에 배치되며, 상기 실리콘 용탕과 상기 분사 가스와의 반응에 의하여 휘발되는 SiOx 증기를 포집하는 포집부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 SiOx 나노 분말 제조 장치.
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