초록 ▼

본 발명에 따른 단결정 실리콘적층 사파이어 박막의 제조방법은, 사파이어 기판 상에 실리콘층을 형성하는 제1단계, 상기 실리콘층에 실리콘 이온을 주입하여 상기 제1단계의 수행에 의해 생성된 실리콘층의 결함을 제거하는 제2단계, 및 상기 제2단계에서 결함이 제거된 실리콘층에 수소 이온을 주입하여 상기 제2단계의 수행에 의해 생성된 상기 실리콘층의 결함을 추가적으로 제거하는 제3단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.따라서, 본 발명에 따른 실리콘적층 사파이어 기판의 제조방법은 사파이어 기판 상부에 실리콘층을 적층할 때 발생되는 사파이어 기

본 발명에 따른 단결정 실리콘적층 사파이어 박막의 제조방법은, 사파이어 기판 상에 실리콘층을 형성하는 제1단계, 상기 실리콘층에 실리콘 이온을 주입하여 상기 제1단계의 수행에 의해 생성된 실리콘층의 결함을 제거하는 제2단계, 및 상기 제2단계에서 결함이 제거된 실리콘층에 수소 이온을 주입하여 상기 제2단계의 수행에 의해 생성된 상기 실리콘층의 결함을 추가적으로 제거하는 제3단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.따라서, 본 발명에 따른 실리콘적층 사파이어 기판의 제조방법은 사파이어 기판 상부에 실리콘층을 적층할 때 발생되는 사파이어 기판과 실리콘층 사이에 계면결함 및 결정결함을 실리콘 이온의 주입 및 열처리를 통해 1차적으로 제거하고, 상기 실리콘 이온의 주입에 의해 발생되는 실리콘층의 결함 및 이전 단계에서 미처 제거되지 않은 결함을 수소 이온의 주입 및 열처리에 의해 2차적으로 제거하는 방식이기 때문에 상기 실리콘층의 형성과정에서 발생되는 결함을 보다 효과적으로 제거함으로써 복잡한 공정을 거치지 않더라도 전류특성이 매우 우수한 고품위의 단결정 실리콘적층 사파이어 박막을 얻을 수 있다는 장점이 있다.

대표청구항

사파이어 기판 상에 단결정 실리콘층을 형성하는 제1단계;상기 실리콘층에 실리콘 이온을 주입하여 상기 제1단계의 수행에 의해 생성된 실리콘층의 결함을 제거하는 제2단계; 및상기 제2단계에서 결함이 제거된 실리콘층에 실리콘보다 크기가 작은 양이온을 주입하여 상기 제2단계를 통해 제거되지 않은 결함 및 상기 제2단계의 수행에 의해 생성된 결함을 추가적으로 제거하는 제3단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘적층 사파이어 박막의 제조방법.

사파이어 기판 상에 단결정 실리콘층을 형성하는 제1단계;상기 실리콘층에 실리콘 이온을 주입하여 상기 제1단계의 수행에 의해 생성된 실리콘층의 결함을 제거하는 제2단계; 및상기 제2단계에서 결함이 제거된 실리콘층에 실리콘보다 크기가 작은 양이온을 주입하여 상기 제2단계를 통해 제거되지 않은 결함 및 상기 제2단계의 수행에 의해 생성된 결함을 추가적으로 제거하는 제3단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘적층 사파이어 박막의 제조방법.