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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2012-7001404 (2012-01-18) | |
공개번호 | 10-2012-0038447 (2012-04-23) | |
등록번호 | 10-1860385-0000 (2018-05-16) | |
우선권정보 | 일본(JP) JP-P-2009-146289 (2009-06-19) | |
국제출원번호 | PCT/JP2010/060223 (2010-06-16) | |
국제공개번호 | WO 2010/147155 (2010-12-23) | |
번역문제출일자 | 2012-01-18 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020127001404 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2015-04-24) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
[과제] 반도체 장치 제조의 리소그래피 프로세스에 이용하기 위한 내열성을 구비한 레지스트 하층막, 그리고 전자 디바이스에 이용하기 위한 투명성을 구비한 고굴절률막을 제공한다.[해결수단] 하기 식(1): 식(1) 중, R1, R2, R3 및 R5는 각각 수소원자를 나타내고, R4는 페닐기 또는 나프틸기로 표시되는 단위구조를 포함하는 폴리머. 상기 폴리머를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물 및 이로부터 형성되는 레지스트 하층막. 상기 폴리머를 포함하는 고굴절률막 형성 조성물 및 이로부터 형성되는 고굴절률막.
하기 식(1'): 식(1')(식(1') 중, R1, R2 및 R3는 각각 수소원자를 나타내고,R4 및 R5는 이들이 결합되는 탄소원자와 함께 플루오렌환을 형성하며, 이 때, 이 탄소원자는 형성된 상기 플루오렌환의 9위치의 탄소원자이며,n1 및 n2는 각각 3의 정수이다.)로 표시되는 단위구조를 포함하는, 중량평균 분자량이 1000 내지 6400인 폴리머.
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