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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2013-0035568 (2013-04-02) | |
공개번호 | 10-2014-0120405 (2014-10-14) | |
등록번호 | 10-1994480-0000 (2019-06-24) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020130035568 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2018-03-20) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 게이트 절연막 형성 방법을 제공한다. 플라즈마 처리 장치는 챔버의 상부면의 중심에서 일정한 반경을 가진 원주 상에 균일한 간격으로 배치된 주변 유전체 튜브들, 주변 유전체 튜브들 감싸도록 배치된 주변 안테나들, 주변 유전체 튜브들로부터 수직으로 이격되어 동일한 제1 평면에 배치된 상부 자석들,및 상부 자석들과 주변 유전체 튜브들 사이에 동일한 제2 평면에 각각 배치된 하부 자석들을 포함한다. 플라즈마 처리 장치의 게이트 절연막 형성 방법은 챔버의 내부에 배치된 실리콘 기판의 활성 영역 상에 게이트 절연막으로 동작하는 실리
챔버의 상부면의 중심에서 일정한 반경을 가진 원주 상에 균일한 간격으로 배치된 주변 유전체 튜브들; 상기 주변 유전체 튜브들 감싸도록 배치된 주변 안테나들; 상기 주변 유전체 튜브들로부터 수직으로 이격되어 동일한 제1 평면에 배치된 상부 자석들;및 상기 상부 자석들과 상기 주변 유전체 튜브들 사이에 동일한 제2 평면에 각각 배치된 하부 자석들을 포함하는 플라즈마 처리 장치의 게이트 절연막 형성 방법에 있어서,상기 챔버의 내부에 배치된 실리콘 기판의 활성 영역 상에 게이트 절연막으로 동작하는 실리콘 산화막을 형성하는 단계; 및상기 실
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