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| 국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2013-0134268 (2013-11-06) | |
| 공개번호 | 10-2015-0052608 (2015-05-14) | |
| 등록번호 | 10-1537563-0000 (2015-07-13) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020130134268 | |
| 발명자 / 주소 | ||
| 출원인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (2013-11-06) | |
| 심사진행상태 | 등록결정(재심사후) | |
| 법적상태 | 등록 |
본 발명은 비접촉 프로브를 이용한 패턴전극의 결함 위치 검출 방법에 관한 것으로서, 패턴전극이 주기적으로 반복되는 검사대상물에 대해 비접촉 싱글사이드 프로브를 통해 1차 스캔을 수행하여 단선 및 단락 결함을 검출한 후, 단선이나 단락 결함이 발생된 패턴전극에 대해 단선 및 단락 결함의 결과에 따라 2차 스캔을 수행하여, 결함이 발생된 위치를 정확하게 검출할 수 있다.
미세한 피치의 패턴전극이 주기성을 갖는 검사대상물에 대해 비접촉 싱글사이드 프로브로 상기 패턴전극의 수직방향으로 1차 스캔하여 단선 및 단락 결함을 검출하는 단계; 및 상기 검출결과 단선이나 단락 결함이 검출된 상기 패턴전극에 대해, 상기 검출결과에 따라 상기 비접촉 프로브를 수평방향으로 2차 스캔하여 결함위치를 검출하는 단계;를 포함하되, 상기 비접촉 프로브는 상기 패턴전극과 동일방향으로 배치된 제 1급전전극; 상기 제 1급전전극과 수평방향으로 배치된 단선 검사전극; 및 상기 제 1급전전극과 수직방향으로 배치된 단락 검사전극;을
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