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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2013-7024604 (2013-09-16) | |
공개번호 | 10-2014-0057477 (2014-05-13) | |
우선권정보 | 일본(JP) JP-P-2011-034384 (2011-02-21) | |
국제출원번호 | PCT/JP2012/054042 (2012-02-21) | |
국제공개번호 | WO 2012/115072 (2012-08-30) | |
번역문제출일자 | 2013-09-16 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020137024604 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) | |
법적상태 | 취하 |
본 발명은 파티클이 발생하는 것을 억제함으로써, 발진성이 낮은 것이 중요시되는 반도체 제조 분야 등에 있어서도 이용할 수 있는 탄소 재료 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다. 본 발명은 탄소 기재의 표면에 탄화 크롬층이 형성된 탄소 재료에 있어서, 상기 탄화 크롬층이 Cr3C2로부터 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 것이며, 탄소 기재의 표면에, Cr3C2 이외의 탄화 크롬을 포함하는 탄화 크롬층을 형성하는 제1 스텝과, 상기 탄소 기재를 환원성 분위기 하에서 가열 처리하고, 상기 Cr3C2 이외의 탄화 크롬을 C
탄소 기재의 표면에 탄화 크롬층이 형성된 탄소 재료에 있어서, 상기 탄화 크롬층이 Cr3C2를 주성분으로 하고 있는 것을 특징으로 하는 탄소 재료.
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