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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2014-0016529 (2014-02-13) | |
공개번호 | 10-2015-0095344 (2015-08-21) | |
등록번호 | 10-1669444-0000 (2016-10-20) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020140016529 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2014-02-13) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
액상 성장법에 기초한 SiC 단결정을 육성 방법이 개시된다. 본 발명은 표면의 적어도 일부가 보호막으로 코팅된 SiC 시드를 제공하는 단계; 실리콘을 포함하는 원료 분말이 구비된 성장 도가니를 제공하는 단계; 및 상기 성장 도가니의 원료 분말을 용융하여 상기 SiC 시드가 상기 용융액에 딥핑된 상태에서 상기 SiC 시드로 SiC 결정을 육성하는 단계를 포함하는 SiC 결정의 액상 성장 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 시드로부터의 액상 성장시 발생 가능한 파티클 결함을 포함하는 결함들을 낮은 밀도로 유지할 수 있는 SiC 단결정
결정 성장 표면의 적어도 일부가 보호막으로 코팅된 SiC 시드를 제공하는 단계;실리콘을 포함하는 원료 분말이 구비된 성장 도가니를 제공하는 단계; 및상기 성장 도가니의 원료 분말을 용융하여 상기 SiC 시드가 상기 용융액에 딥핑된 상태에서 상기 SiC 시드로 SiC 결정을 육성하는 단계를 포함하고, 상기 SiC 시드의 보호막은 금속 산화물을 포함하고, 상기 SiC 시드의 상기 보호막은 상기 용융액에 딥핑된 상태에서 용해되는 것을 특징으로 하는 SiC 결정의 액상 성장 방법.
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