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유기막 연마용 CMP 슬러리 조성물 및 이를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C09K-003/14
  • H01L-021/304
출원번호 10-2014-0056408 (2014-05-12)
공개번호 10-2015-0010570 (2015-01-28)
등록번호 10-2352229-0000 (2022-01-12)
우선권정보 대한민국(KR) 1020130084279 (2013-07-17);대한민국(KR) 1020140005583 (2014-01-16)
DOI http://doi.org/10.8080/1020140056408
발명자 / 주소
  • 김윤정 / 경기도 수원시 영통구 웰빙타운로 ** ****동 ***호 (이의동,호반가든하임)
  • 김상균 / 경기도 용인시 기흥구 고매로**번길 ** ***동 ***호 (고매동,매화마을우남퍼스트빌아파트)
  • 김광복 / 인천광역시 남동구 백범로***번길 ** ***동 ***호 (만수동,주공아파트)
  • 김예환 / 서울특별시 강동구 상암로**길 ** ***동 ****호 (명일동,엘지아파트)
  • 최정식 / 경기도 성남시 분당구 금곡로 *** ****동 ***호 (금곡동,청솔마을동아아파트)
  • 한충호 / 서울특별시 동작구 동작대로**길 *** ***동 ***호 (사당동,우성아파트)
  • 홍기식 / 경기도 화성시 동탄반석로 *** 예당마을 롯데캐슬 ***동 ****호
출원인 / 주소
  • 삼성전자주식회사 / 경기도 수원시 영통구 삼성로 *** (매탄동)
대리인 / 주소
  • 특허법인 고려
심사청구여부 있음 (2019-04-24)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

본 발명은 유기막 연마용 CMP 슬러리 조성물 및 이를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. 이 CMP 슬러리 조성물은 산화물 연마입자를 0.001~5 중량%로; 산화제를 0.1~5 중량%로; 연마조절제를 0~5 중량%로; 계면활성제를 0~3 중량%로; pH 조절제를 0~3 중량%로; 그리고 탈이온수를 79~99.889 중량%로 포함한다. 이 CMP 슬러리 조성물은 산화막에 대하여 6:1 이상의 우수한 선택비로 실리콘을 포함하지 않는 유기막을 연마할 수 있다.

대표청구항

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발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (3)

  1. [한국] 유전율이 낮은 중합체 층의 CMP법 | 호잘리샤라스디.
  2. [한국] 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 | 오규환, 고승필, 김병철, 강윤선, 심재주, 임동현, 박두환, 서기석
  3. [일본] CHEMICAL MECHANICAL POLISHING METHOD OF ORGANIC FILM, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PROGRAM | MATSUI YUKITERU, MINAMI FUKUGAKU, SHIGETA ATSUSHI, YANO HIROYUKI

이 특허를 인용한 특허 (7)

  1. [한국] 유기막 CMP 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마방법 | 최정민, 김태완, 도균봉, 강동헌, 김동진, 유용식, 최영남
  2. [한국] 유기막 연마용 CMP 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마방법 | 최정민, 노조 하루키, 김고은, 김용국, 박용순
  3. [한국] 반도체 장치의 제조 방법 | 이준석, 권병호, 김상균, 김윤정, 박승호, 최호, 황인석
  4. [한국] 텅스텐 화학적 기계적 연마에서 디싱 감소 | 스텐더, 마티아스, 류, 블레이크 제이., 쉬, 시아오보
  5. [한국] 연마 용액, 이를 이용한 철-니켈 합금박의 연마방법 및 철-니켈 합금박 | 이재륭, 이재곤, 정관호, 홍재화, 김현태, 김종권, 양홍석
  6. [한국] 유기막 CMP 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 | 최정민, 정영철, 김정희, 강동헌
  7. [한국] 유기막용 CMP 슬러리 조성물, 그 제조방법, 및 이를 이용한 유기막 연마 방법 | 도균봉, 김동진, 정영철, 유용식, 최정민
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