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특허 상세정보

SOI 웨이퍼의 제조방법

국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
H01L-021/84    H01L-021/02    H01L-021/265    H01L-021/324    H01L-027/12   
출원번호 10-2014-7016030 (2014-06-12)
공개번호 10-2014-0104429 (2014-08-28)
등록번호 10-1873203-0000 (2018-06-26)
우선권정보 일본(JP) JP-P-2011-274999 (2011-12-15)
국제출원번호 PCT/JP2012/007267 (2012-11-13)
국제공개번호 WO 2013/088636 (2013-06-20)
번역문제출일자 2014-06-12
DOI http://doi.org/10.8080/1020147016030
발명자 / 주소
  • 아가, 히로지 / 일본, 군마 *******, 안나카-시, 이소베 *-쵸메, **-*, 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤, 이소베 공장내
  • 코바야시, 노리히로 / 일본, 군마 *******, 안나카-시, 이소베 *-쵸메, **-*, 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤, 이소베 공장내
출원인 / 주소
대리인 / 주소
  • 특허법인씨엔에스
심사청구여부 있음 (2016-12-22)
초록

본 발명은, SOI 웨이퍼에 대하여, SOI층 표면을 열산화하고, 형성된 열산화막을 제거하는 희생 산화처리를 실시함으로써, 상기 SOI 웨이퍼의 SOI층을 감후 조정하는 공정을 갖는 SOI 웨이퍼의 제조방법에 있어서, 상기 희생 산화처리에 있어서의 열산화를, 배치식 열처리로를 사용하여, 적어도 승온 중, 강온 중의 한쪽에서 행함으로써, 상기 SOI층의 표면에 대략 동심원 형상의 산화막 두께 분포를 형성하는 것을 특징으로 하는 SOI 웨이퍼의 제조방법이다.이에 따라, 대략 동심원 형상의 산화막을 형성하고, 형성된 열산화막을 제거하는 희생 산화처리를 행함으로써, 면내 막두께 분포가 개선된 SOI 웨이퍼를 ...

대표
청구항

SOI 웨이퍼에 대하여, SOI층 표면을 열산화하고, 형성된 열산화막을 제거하는 희생 산화처리를 실시함으로써, 상기 SOI 웨이퍼의 SOI층을 감후(減厚) 조정하는 공정을 갖는 SOI 웨이퍼의 제조방법에 있어서,상기 희생 산화처리를 실시하는 SOI 웨이퍼를, SOI층이 동심원 형상의 막 두께 분포를 갖는 것으로 하고,상기 희생 산화처리에 있어서의 열산화를, 배치식 열처리로를 사용하여, 승온 중, 강온 중 어느 한쪽 또는 양쪽에서 행함으로써, 상기 동심원 형상의 막 두께 분포를 상쇄하도록, 상기 SOI층의 표면에 동심원 형상의 산화막 두께 분포를 갖는 열산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 SOI 웨이퍼의 제조방법.