과제명
NTIS 과제연계
과제기간
총연구비
- 검색어에 아래의 연산자를 사용하시면 더 정확한 검색결과를 얻을 수 있습니다.
- 검색연산자
| 검색연산자 | 기능 | 검색시 예 |
|---|---|---|
| () | 우선순위가 가장 높은 연산자 | 예1) (나노 (기계 | machine)) |
| 공백 | 두 개의 검색어(식)을 모두 포함하고 있는 문서 검색 | 예1) (나노 기계) 예2) 나노 장영실 |
| | | 두 개의 검색어(식) 중 하나 이상 포함하고 있는 문서 검색 | 예1) (줄기세포 | 면역) 예2) 줄기세포 | 장영실 |
| ! | NOT 이후에 있는 검색어가 포함된 문서는 제외 | 예1) (황금 !백금) 예2) !image |
| * | 검색어의 *란에 0개 이상의 임의의 문자가 포함된 문서 검색 | 예) semi* |
| "" | 따옴표 내의 구문과 완전히 일치하는 문서만 검색 | 예) "Transform and Quantization" |
안녕하세요!
ScienceON 챗봇입니다.
궁금한 것은 저에게 물어봐주세요.
ScienceON 챗봇입니다.
궁금한 것은 저에게 물어봐주세요.
특허 상세정보
SOI 웨이퍼의 제조방법
| 국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
|---|---|
| 국제특허분류(IPC8판) | |
| 출원번호 | 10-2014-7016030 (2014-06-12) |
| 공개번호 | 10-2014-0104429 (2014-08-28) |
| 등록번호 | 10-1873203-0000 (2018-06-26) |
| 우선권정보 | 일본(JP) JP-P-2011-274999 (2011-12-15) |
| 국제출원번호 | PCT/JP2012/007267 (2012-11-13) |
| 국제공개번호 | WO 2013/088636 (2013-06-20) |
| 번역문제출일자 | 2014-06-12 |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020147016030 |
| 발명자 / 주소 |
|
| 출원인 / 주소 |
|
| 대리인 / 주소 |
|
| 심사청구여부 | 있음 (2016-12-22) |
| 심사진행상태 | 등록결정(일반) |
| 법적상태 | 등록 |
초록
본 발명은, SOI 웨이퍼에 대하여, SOI층 표면을 열산화하고, 형성된 열산화막을 제거하는 희생 산화처리를 실시함으로써, 상기 SOI 웨이퍼의 SOI층을 감후 조정하는 공정을 갖는 SOI 웨이퍼의 제조방법에 있어서, 상기 희생 산화처리에 있어서의 열산화를, 배치식 열처리로를 사용하여, 적어도 승온 중, 강온 중의 한쪽에서 행함으로써, 상기 SOI층의 표면에 대략 동심원 형상의 산화막 두께 분포를 형성하는 것을 특징으로 하는 SOI 웨이퍼의 제조방법이다.이에 따라, 대략 동심원 형상의 산화막을 형성하고, 형성된 열산화막을 제거하는 희생 산화처리를 행함으로써, 면내 막두께 분포가 개선된 SOI 웨이퍼를 ...
대표
청구항
SOI 웨이퍼에 대하여, SOI층 표면을 열산화하고, 형성된 열산화막을 제거하는 희생 산화처리를 실시함으로써, 상기 SOI 웨이퍼의 SOI층을 감후(減厚) 조정하는 공정을 갖는 SOI 웨이퍼의 제조방법에 있어서,상기 희생 산화처리를 실시하는 SOI 웨이퍼를, SOI층이 동심원 형상의 막 두께 분포를 갖는 것으로 하고,상기 희생 산화처리에 있어서의 열산화를, 배치식 열처리로를 사용하여, 승온 중, 강온 중 어느 한쪽 또는 양쪽에서 행함으로써, 상기 동심원 형상의 막 두께 분포를 상쇄하도록, 상기 SOI층의 표면에 동심원 형상의 산화막 두께 분포를 갖는 열산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 SOI 웨이퍼의 제조방법.
