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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2015-0087564 (2015-06-19) | |
공개번호 | 10-2016-0149837 (2016-12-28) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020150087564 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) | |
법적상태 | 취하 |
발광 소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 발광 소자는, 제1 도전형 반도체층; 제1 도전형 반도체층 상에 위치하는 제2 도전형 반도체층; 및 제1 및 제2 도전형 반도체층의 사이에 위치하며, 우물층 및 장벽층을 포함하는 다중양자우물 구조를 포함하는 활성층을 포함하되, 활성층은 비극성 또는 반극성의 성장면을 갖고, 상기 우물층은 수평 방향으로 압축 스트레인을 받으며, XRD(X-Ray Diffraction) ω2θ(omega 2theta) 스캔 값을 기준으로, 상기 활성층의 제1 순위 우물층 피크(1st order well layer
제1 도전형 반도체층;상기 제1 도전형 반도체층 상에 위치하는 제2 도전형 반도체층; 및상기 제1 및 제2 도전형 반도체층의 사이에 위치하며, 우물층 및 장벽층을 포함하는 다중양자우물 구조를 포함하는 활성층을 포함하되,상기 활성층은 비극성 또는 반극성의 성장면을 갖고, 상기 우물층은 수평 방향으로 압축 스트레인을 받으며,XRD(X-Ray Diffraction) ω2θ(omega 2theta) 스캔 값을 기준으로, 상기 활성층의 제1 순위 우물층 피크(1st order well layer peak)는 상기 제1 도전형 반도체층의 주
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