초록 ▼

본 발명은 은 코팅 구리 나노와이어 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 새로운 구리 캡핑제(capping agent)인 피페라진(C4H10N2), 헥사메틸렌디아민(C6H16N2)을 사용하여 구리 나노와이어를 화학적 방법으로 합성한 후, 구리 나노와이어의 산화 방지를 위해서 화학 도금법(chemical plating method)을 이용하여 은으로 코팅하는 것을 특징으로 한다.본 발명에 따른 은 코팅 구리 나노와이어는 공기 중이나 높은 온도에서도 산화가 방지됨에 따라 전기 전도도가 저하되지 않아 높은 전기 전도도가 요구

본 발명은 은 코팅 구리 나노와이어 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 새로운 구리 캡핑제(capping agent)인 피페라진(C4H10N2), 헥사메틸렌디아민(C6H16N2)을 사용하여 구리 나노와이어를 화학적 방법으로 합성한 후, 구리 나노와이어의 산화 방지를 위해서 화학 도금법(chemical plating method)을 이용하여 은으로 코팅하는 것을 특징으로 한다.본 발명에 따른 은 코팅 구리 나노와이어는 공기 중이나 높은 온도에서도 산화가 방지됨에 따라 전기 전도도가 저하되지 않아 높은 전기 전도도가 요구되는 전자파 차폐 페이스트 또는 고전도성 페이스트의 제조에 유용하다.

대표청구항 ▼

(a) 물에 (i) 수산화나트륨, (ii) 질산 구리 및 (iii) 구리 캡핑제로 피페라진(C4H10N2) 또는 헥사메틸렌디아민(C6H16N2)이 첨가된 수용액을 교반하되, 상기 구리 캡핑제는 0.008~2.0M의 농도를 가지도록 첨가하는 단계;(b) 상기 수용액에 환원제로 하이드라진을 첨가하여 40~100℃의 온도에서 구리 이온을 환원시켜 구리 나노와이어를 제조하되, 상기 환원제는 0.01~1.0M의 농도를 가지도록 0.1~5 ml/min의 첨가속도로 첨가하는 단계;(c) (b) 단계에서 제조된 구리 나노와이어를 하이드라진 수용액

(a) 물에 (i) 수산화나트륨, (ii) 질산 구리 및 (iii) 구리 캡핑제로 피페라진(C4H10N2) 또는 헥사메틸렌디아민(C6H16N2)이 첨가된 수용액을 교반하되, 상기 구리 캡핑제는 0.008~2.0M의 농도를 가지도록 첨가하는 단계;(b) 상기 수용액에 환원제로 하이드라진을 첨가하여 40~100℃의 온도에서 구리 이온을 환원시켜 구리 나노와이어를 제조하되, 상기 환원제는 0.01~1.0M의 농도를 가지도록 0.1~5 ml/min의 첨가속도로 첨가하는 단계;(c) (b) 단계에서 제조된 구리 나노와이어를 하이드라진 수용액을 이용하여 세척 및 건조하는 단계; 및(d) (c) 단계에서 건조된 구리 나노와이어를 수용액에 분산하고, 여기에 질산은, 암모니아수 및 은 캡핑제로 헥사메틸렌디아민 또는 에틸렌디아민을 혼합하여 제조된 암모니아-은 착물 용액을 첨가함으로써 화학도금법에 의해 구리 나노와이어에 은 코팅을 형성하여 길이가 5~10㎛, 직경이 200~300nm인 은 코팅 구리 나노와이어를 수득하는 단계;를 포함하는 은 코팅 구리 나노와이어의 제조방법.