초록

약 10 밀리옴-㎝ 미만의 웨이퍼 저항률을 갖는 단결정 실리콘 웨이퍼에 산소 침전을 제어하는 방법이 제공되어 상기 웨이퍼는 중심 축으로부터 원주 엣지까지 균일하게 높은 산소 침전 거동을 갖게 된다.단결정 실리콘 웨이퍼는 탄소, 비소 및 안티모니 중에서 선택된 추가 도펀트를 포함한다.

대표청구항 ▼

초크랄스키 방법에 의해 성장시킨 잉곳으로부터 슬라이싱되는 p-형 단결정 실리콘 웨이퍼로서,상기 p-형 단결정 실리콘 웨이퍼는 10 밀리옴-㎝ 미만의 웨이퍼 저항률을 갖고, 상기 p-형 단결정 실리콘 웨이퍼는 초크랄스키 방법에 의해 성장시킨 잉곳으로부터 슬라이싱되고, 전면, 후면, 전면과 후면 사이의 중심 평면, 전면과 후면을 연결하는 원주 엣지, 중심 평면에 대해 수직인 중심 축, 및 중심 평면과 전면 사이의 웨이퍼 영역을 포함하는 벌크 층을 포함하고, 상기 p-형 단결정 실리콘 웨이퍼는 상기 중심 축으로부터 상기 원주 엣지까지 공

초크랄스키 방법에 의해 성장시킨 잉곳으로부터 슬라이싱되는 p-형 단결정 실리콘 웨이퍼로서,상기 p-형 단결정 실리콘 웨이퍼는 10 밀리옴-㎝ 미만의 웨이퍼 저항률을 갖고, 상기 p-형 단결정 실리콘 웨이퍼는 초크랄스키 방법에 의해 성장시킨 잉곳으로부터 슬라이싱되고, 전면, 후면, 전면과 후면 사이의 중심 평면, 전면과 후면을 연결하는 원주 엣지, 중심 평면에 대해 수직인 중심 축, 및 중심 평면과 전면 사이의 웨이퍼 영역을 포함하는 벌크 층을 포함하고, 상기 p-형 단결정 실리콘 웨이퍼는 상기 중심 축으로부터 상기 원주 엣지까지 공극 지배적이고, 상기 p-형 단결정 실리콘 웨이퍼는:1x1019개 원자/세제곱 센티미터 이상의 평균 붕소 농도의 붕소 도펀트;3x1018개 원자/세제곱 센티미터 이상의 평균 비소 농도의 비소; 및상기 중심 축으로부터 상기 원주 엣지까지 5x108개 침전물/㎤ 이상의 평균 농도의 산소 침전물을 포함하고,상기 단결정 실리콘 웨이퍼는 산소 침전물 농도가 5x108개 침전물/㎤ 미만인 환형 영역을 포함하지 않는, p-형 단결정 실리콘 웨이퍼.