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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2017-0087997 (2017-07-11) | |
공개번호 | 10-2019-0006810 (2019-01-21) | |
등록번호 | 10-2418179-0000 (2022-07-04) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020170087997 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2020-07-07) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 원자층 증착(ALD : Atomic Layer Deposition) 또는 화학적 기상 증착 (Chemical Vapor Deposition) 공정에 이용되는 자가 제한적 반응(Self-limiting reaction)에 사용되는 금속 전구체(Metal Precursor)를 구성하는 리간드 화합물인 에 관한 것으로, 본 발명은 원자층 증착(ALD : Atomic Layer Deposition) 또는 화학적 기상 증착 (Chemical Vapor Deposition) 공정에 이용되는 전구체(Precursor) 중, 자가 제한
하기 화학식 3의 비스(디메칠아미노)[N-메틸-2-(1,2,3,4,5-펜타메칠싸이클로펜타-2,4-다이엔-1-일)에틸-아미노]지르코늄인 유기-지르코늄 화합물.[화학식 3]상기 화힉식에서 R1은 메틸
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