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극자외선 리소그래피용 펠리클 및 그의 제조방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • G03F-001/66
  • G03F-007/20
  • H01L-021/027
  • H01L-021/768
출원번호 10-2017-0149847 (2017-11-10)
등록번호 10-1900720-0000 (2018-09-14)
DOI http://doi.org/10.8080/1020170149847
발명자 / 주소
  • 남기수 / 대구광역시 달서구 호산동로 **
  • 이창훈 / 대구광역시 달서구 호산동로 **
  • 홍주희 / 대구광역시 달서구 호산동로 **
  • 박철균 / 대구광역시 달서구 호산동로 **
출원인 / 주소
  • 주식회사 에스앤에스텍 / 대구광역시 달서구 호산동로 ** (호림동)
대리인 / 주소
  • 허성원; 이동욱; 서동헌
심사청구여부 있음 (2017-11-10)
심사진행상태 등록결정(재심사후)
법적상태 등록

초록

극자외선 리소그래피용 펠리클이 개시된다.펠리클은, 지지층을 식각하여 형성되는 지지층 패턴, 지지층 패턴의 상부에 형성되는 펠리클층, 및 지지층 패턴과 펠리클층 사이에 형성되어 지지층의 식각 시 식각을 저지하는 식각 저지층을 식각함으로써 형성되는 식각 저지층 패턴을 구비한다.극자외선용 노광광에 대해 두께를 최소화하여 높은 투과율을 유지하면서 기계적 강도와 열적 특성이 우수한 극자외선 포토마스크용 펠리클이 제공된다.

대표청구항

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발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (3)

  1. [한국] EUV 리소그래피용 펠리클 및 그 제조방법 | 안진호, 이재욱, 홍성철, 이길복, 김정식
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  2. [한국] 극자외선 리소그래피용 펠리클 | 이수영, 김태근, 도종걸
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  3. [한국] 열 축적을 방지하는 펠리클 및 이를 포함하는 극자외선 리소그래피 장치 | 전환철, 김문자, 권성원, 김병국, 찰릭 로만, 정용석, 최재혁
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