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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2018-0022204 (2018-02-23) | |
공개번호 | 10-2019-0101803 (2019-09-02) | |
등록번호 | 10-2060383-0000 (2019-12-23) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020180022204 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2018-02-23) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
3족-5족 화합물 반도체 장치는 기판, 기판 상에 제공되는 화합물 반도체 층, 및 화합물 반도체 층과 기판 사이에 개재하는 버퍼층을 포함하되, 화합물 반도체 층은, 제1 도전형을 갖는 제1 반도체 영역, 및 제2 도전형을 갖는 제2 반도체 영역을 포함하고, 버퍼층은 고 전자밀도 영역을 포함하고, 버퍼층 내에서, 고 전자밀도 영역의 전자밀도는 고 전자밀도 영역 외부의 전자밀도보다 높다.
기판; 상기 기판 상에 제공되는 화합물 반도체 층; 및상기 화합물 반도체 층과 상기 기판 사이에 개재하는 버퍼층을 포함하되,상기 화합물 반도체 층은:제1 도전형을 갖는 제1 반도체 영역; 및제2 도전형을 갖는 제2 반도체 영역을 포함하고,상기 버퍼층은 고 전자밀도 영역을 포함하고,상기 버퍼층 내에서, 상기 고 전자밀도 영역의 전자밀도는 상기 고 전자밀도 영역 외부의 전자밀도보다 높고, 상기 제1 및 제2 반도체 영역들의 각각 제1 5족 원소 및 제2 5족 원소를 포함하고, 상기 제1 반도체 영역 내의 상기 제1 및 제2 5족 원소들
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