초록 ▼

본 발명은 실리콘 폐기물의 연마 오일의 성분(절삭유)을 제거하기 위하여 아세톤으로 폐기물을 수회 세척한 다음(S10), 실리콘 폐기물 중의 금속 불순물, 특히 자성 물질을 제거하기 위하여 산처리를 실시하여 음극재의 열 폭발을 일으킬 수 있는 자성 물질의 농도를 20ppm이하로 조절하였으며(S20), 여과를 실시하고(S30), 여과된 침전물에 암모니아수를 가하여 중성으로 pH를 조절한 후 물로 여러 번 수세하였으며(S40). 이 고체를 100℃로 맞추어진 건조기에 넣고 건조를 실시하였다. 건조된 실리콘을 잘 알려진 식각용해제에 넣고

본 발명은 실리콘 폐기물의 연마 오일의 성분(절삭유)을 제거하기 위하여 아세톤으로 폐기물을 수회 세척한 다음(S10), 실리콘 폐기물 중의 금속 불순물, 특히 자성 물질을 제거하기 위하여 산처리를 실시하여 음극재의 열 폭발을 일으킬 수 있는 자성 물질의 농도를 20ppm이하로 조절하였으며(S20), 여과를 실시하고(S30), 여과된 침전물에 암모니아수를 가하여 중성으로 pH를 조절한 후 물로 여러 번 수세하였으며(S40). 이 고체를 100℃로 맞추어진 건조기에 넣고 건조를 실시하였다. 건조된 실리콘을 잘 알려진 식각용해제에 넣고 장시간 방치하여 실리콘의 성분을 완전 용해한 후 이 용액을 분위기가 조절된 FRP제작된 spray dryer에서 분무건조를 실시하여(S50) 간단하게 구형의 실리콘 산화물의 입자를 얻을 수 있는(S60) 분무건조법을 이용한 Waste Silicon sludge로부터 실리콘산화물 및 금속 실리콘의 구형입자 제조방법 및 이를 이용한 전지 음극소재로의 활용 방법에 관한 발명이다.

대표청구항 ▼

실리콘 폐기물의 연마 오일의 성분인 절삭유를 제거하기 위하여 아세톤으로 폐기물을 세척하는 스텝(S10)과,상기 실리콘 폐기물 중의 금속 불순물 중 자성 물질을 제거하기 위하여 산처리를 실시하여 음극재의 열 폭발을 일으킬 수 있는 자성 물질의 농도를 20ppm이하로 조절하는 스텝(S20)과,여과를 실시하는 스텝(S30)과,여과된 침전물에 암모니아수를 가하여 중성으로 pH를 조절한 후 물로 수세하는 스텝(S40)과,상기 S40 스텝에서 얻어진 고체를 100℃로 맞추어진 건조기에 넣고 건조를 실시하는 스텝(S50)을 포함하고,상기 S50

실리콘 폐기물의 연마 오일의 성분인 절삭유를 제거하기 위하여 아세톤으로 폐기물을 세척하는 스텝(S10)과,상기 실리콘 폐기물 중의 금속 불순물 중 자성 물질을 제거하기 위하여 산처리를 실시하여 음극재의 열 폭발을 일으킬 수 있는 자성 물질의 농도를 20ppm이하로 조절하는 스텝(S20)과,여과를 실시하는 스텝(S30)과,여과된 침전물에 암모니아수를 가하여 중성으로 pH를 조절한 후 물로 수세하는 스텝(S40)과,상기 S40 스텝에서 얻어진 고체를 100℃로 맞추어진 건조기에 넣고 건조를 실시하는 스텝(S50)을 포함하고,상기 S50 스텝은 건조된 실리콘을 식각용해제에 넣고 장시간 방치하여 실리콘의 성분을 완전 용해한 후 이 용액을 분위기가 조절된 FRP제작된 spray dryer에서 분무건조를 실시하고,상기 S50 스텝은 분무건조기에 장착되어 있는 전자방출기를 가동하여 전자를 방출하면서 분무건조기를 조작하여 금속실리콘 분말이 형성될 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 분무건조법을 이용한 Waste Silicon sludge로부터 실리콘산화물 제조방법.