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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2020-0081412 (2020-07-02) | |
등록번호 | 10-2201523-0000 (2021-01-06) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020200081412 | |
발명자 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2020-07-02) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 SiC 모재 및 상기 SiC 모재 상에 형성되는 탄화붕소층을 포함하는 내플라즈마 부재를 포함하는 반도체 제조용 부품 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 고출력의 RF Power를 견디기 위해 탄화붕소층을 SiC 모재 상에 형성함으로써 플라즈마 처리 장치 내에서 플라즈마에 노출되는 면의 플라즈마 내식성을 향상시키고 균일한 식각 공정을 할 수 있도록 하는 내플라즈마 부재를 포함하는 반도체 제조용 부품 및 이의 제조방법을 제공한다.
SiC 모재; 및상기 SiC 모재 상에 형성되는 탄화붕소층;을 포함하고,상기 탄화붕소층의 두께는, 0.5 ㎜ 내지 10 ㎜인 것이고,상기 SiC 모재 및 탄화붕소층은, 각각, 단일층이거나 복수 개의 층을 포함하는 것인,내플라즈마 부재를 포함하는 반도체 제조용 부품.
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