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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2021-0018563 (2021-02-09) | |
공개번호 | 10-2022-0114929 (2022-08-17) | |
등록번호 | 10-2513077-0000 (2023-03-20) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020210018563 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2021-02-09) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 탄화붕소 내플라즈마 부재를 포함하는 반도체 제조용 부품에 관한 것으로, 본 발명의 일 측면은, 화학기상증착(CVD) 방식으로 형성된 탄화붕소를 포함하고, X-선 회절 분석에서 우선성장 피크가 (021)면인 것이고, 상기 탄화붕소는, 탄소(C)를 20 원자% 내지 60 원자% 포함하는 것인, 탄화붕소 내플라즈마 부재를 포함하는 반도체 제조용 부품을 제공한다.
화학기상증착(CVD) 방식으로 형성된 탄화붕소를 포함하고,X-선 회절 분석에서 우선성장 피크가 (021)면인 것이고,상기 탄화붕소는, 탄소(C)를 20 원자% 내지 60 원자% 포함하는 것이고,상기 탄화붕소는,실리콘 식각량 대비 20 % 내지 40 %의 플라즈마 식각량을 나타내는 것이거나,화학기상증착(CVD) 방식으로 형성된 탄화규소(SiC) 식각량 대비 60 % 내지 70 %의 플라즈마 식각량을 나타내는 것인,탄화붕소 내플라즈마 부재를 포함하는 반도체 제조용 부품.
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