초록

본 발명은 난흑연화 탄소로부터 고결정성 인조흑연을 제조하는 방법 및 이에 의해 제조된 인조흑연에 관한 것으로, 종래의 인조흑연 제조 방법과 비교하여 할로겐금속 또는 할로겐 화합물을 사용하지 않고, 고온처리를 하여도 고결정성 흑연구조를 가질 수 없는 난흑연화 탄소를 이용하여 단순한 공정으로 고결정성 인조흑연을 얻을 수 있는 방법을 제공하고 있다.

대표청구항 ▼

인조흑연의 제조방법에 있어서,용매에 난흑연화 탄소 및 실리콘 전구체를 첨가한 후 초음파 처리를 이용하여 혼합하는 제1 단계;상기 제1 단계에서 형성된 혼합물을 열처리하여 실리콘 카바이드를 형성하는 제2 단계; 상기 형성된 실리콘 카바이드를 공기 분위기에서 열처리하여 미반응 난흑연화 탄소를 제거하는 제3 단계; 및상기 열처리된 실리콘 카바이드를 흑연화하여 고결정성 인조흑연을 제조하는 제4 단계;를 포함하고,상기 난흑연화 탄소와 실리콘 전구체의 혼합 비율은 1:0.3 내지 1:1.2의 몰비이고,상기 고결정성 인조흑연의 층간 거리가 0.

인조흑연의 제조방법에 있어서,용매에 난흑연화 탄소 및 실리콘 전구체를 첨가한 후 초음파 처리를 이용하여 혼합하는 제1 단계;상기 제1 단계에서 형성된 혼합물을 열처리하여 실리콘 카바이드를 형성하는 제2 단계; 상기 형성된 실리콘 카바이드를 공기 분위기에서 열처리하여 미반응 난흑연화 탄소를 제거하는 제3 단계; 및상기 열처리된 실리콘 카바이드를 흑연화하여 고결정성 인조흑연을 제조하는 제4 단계;를 포함하고,상기 난흑연화 탄소와 실리콘 전구체의 혼합 비율은 1:0.3 내지 1:1.2의 몰비이고,상기 고결정성 인조흑연의 층간 거리가 0.3380nm 이하이고,상기 고결정성 인조흑연의 라만스펙트럼 측정에 의한 결함에 대한 피크(Id)와 결정성 피크(Ig)의 피크 강도 비율(Id/Ig)이 0.05 이하인 것을 특징으로 하는 고결정성 인조흑연의 제조방법.