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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2021-0051122 (2021-04-20) | |
공개번호 | 10-2022-0144605 (2022-10-27) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020210051122 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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법적상태 | 공개 |
본 발명은 음극 집전체; 및 상기 음극 집전체 상에 형성되는 음극 활물질층을 포함하고, 상기 음극 활물질층은 실리콘계 활물질 및 도전재를 포함하며, 상기 도전재는 직경이 4 내지 9nm이고, 벽의 개수는 3 내지 7개인 탄소나노튜브를 포함하고, 상기 탄소나노튜브는 상기 실리콘계 활물질 총 100중량%에 대하여 3중량% 내지 9중량% 포함되는 이차전지용 음극에 관한 것이다. 본 발명에 따른 음극은 소정 값 이하의 음극 슬러리 저항 값을 나타내어, 우수한 도전성을 확보할 수 있으며, 본 발명의 제조방법에 따르면, 종래에 비해 원가를 현
음극 집전체; 및상기 음극 집전체 상에 형성되는 음극 활물질층을 포함하고,상기 음극 활물질층은 실리콘계 활물질 및 도전재를 포함하며,상기 도전재는 직경이 4 내지 9nm이고, 벽의 개수는 3 내지 7개인 탄소나노튜브를 포함하고, 상기 탄소나노튜브는 상기 실리콘계 활물질 총 100중량%에 대하여 3중량% 내지 9중량% 포함되는 이차전지용 음극.
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