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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2021-0092852 (2021-07-15) | |
등록번호 | 10-2405757-0000 (2022-05-31) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020210092852 | |
발명자 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2021-12-23) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 이차전지용 음극재에 관한 것으로, 본 발명에 따른 이차전지용 음극재는 실리콘 산화물, 알칼리금속과 알칼리토금속 및 전이후금속 군에서 하나 이상 선택되는 도핑 원소와 실리콘의 복합산화물, 또는 이들의 혼합물을 함유하는 매트릭스; 및 매트릭스에 분산 함입된 실리콘 나노입자;를 포함하며, CuKα선을 이용한 X선 회절 패턴에서 회절각 2θ가 10°~ 27.4° 범위에 위치하는 제1피크의 면적(A1)과 28±0.5° 범위에 위치하는 제2피크의 면적(A2)간의 비(A1/A2)가 0.8 내지 6이며, 하기 식 1을 만족한다.(식 1
실리콘 산화물, 알칼리금속과 알칼리토금속 및 전이후금속 군에서 하나 이상 선택되는 도핑 원소와 실리콘의 복합산화물, 또는 이들의 혼합물을 함유하는 매트릭스; 및 상기 매트릭스에 분산 함입된 실리콘 나노입자;를 포함하며,CuKα선을 이용한 X선 회절 패턴에서 회절각 2θ가 10°~ 27.4° 범위에 위치하는 제1피크의 면적(A1)과 28±0.5° 범위에 위치하는 제2피크의 면적(A2)간의 비(A1/A2)가 0.8 내지 6이며, 하기 식 1을 만족하고, 상기 제1피크는 비정질 실리콘 산화물에서 유래된 것이고, 상기 제2피크는 결정질 실
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